Badanie właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS przeznaczone dla programu SPICE

• Autorzy: Zarębski J. , Górecki K. , Jasicki P.

Warianty tytułu

EN

Estimation of the CoolMOST electrothermal macromodel for SPICE

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przeanalizowano właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS dla programu SPICE, opracowanego przez firmę Infineon Technologies. Opisano szczegółowo postać tego makromodelu oraz przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej poprawności rozważanego makromodelu na przykładzie tranzystora SPP11N60C2, porównując wyniki obliczeń elektrotermicznych oraz pomiarów.

EN

In the paper the CoolMOST electrothermal macromodel for SPICE, proposed by Infineon Technologies is described in detailed way and tested. The usefulness of this macromodel has been investigated on the example of SPP11N60C2 transistor. The selected SPICE characteristics and measured ones have been compared and discussed.

Słowa kluczowe

PL

elektronika morska; tranzystor CoolMOS; program SPICE

EN

marine electronic; CoolMOST electrothermal; SPICE

• Wydawca: Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
• Rocznik: 2004
• Tom: nr 53
• Strony: 87--95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni Wydział Elektryczny Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni Wydział Elektryczny Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Jasicki P.

• Akademia Morska w Gdyni Wydział Elektryczny Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Zarębski J., Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS, „Elektronika", nr 12, 2001, s. 9.
• 2. Lorenz L., Deboy G., Knapp A., Marz M., CoolMOS™ - A New Milestone in High Yoltage Power MOS, Proc. 1SPSD'99, Toronto 1999, pp. 3-10.
• 3. Lorenz L., Deboy G., Marz M.. Stengl J., Bachofner A., Drastic Reduction ON-Resistance with CoolMOS, PCIM Europe ISSUE 5/1998, pp. 250-258.
• 4. Puerschel M., Zverev I., CoolMOS C2 optimised to be the fastest high voltage switch, PCIM Europe 8/9 2000, pp. 24-26.
• 5. Lorenz L., Marz M., Deboy G., CoolMOS - An Important Milestone Towards a New Power MOSFET Generation, Proc. PCIM'98, Nurnberg, 1998, p. 151.
• 6. Pspice Librariesfor CoolMOS Power Transistors. http://wvvw.infineon.com.
• 7. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P., Model tranzystora CoolMOSC2 dla programu SPICE, BICHHK, Lwów (Ukraina), no. 485, 2003, p. 248.
• 8. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P., Modelling the Temperature Influence on the Characteristics of the COOLMOSC2/600V Transistor, Paper accepted for presentation at 6th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'2004, Prague, 2004.
• 9. Finał Dala SPP11N60C2, http://www.infineon.com.