Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy

• Autorzy: Dąbrowski J.

Warianty tytułu

EN

Temperature influence on d.c. characteristics of the Schottky power diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod mocy. Porównano zarówno izotermiczne, jak i nieizotermiczne charakterystyki diod Schottky'ego, wykonanych w tradycyjnej technologii krzemowej oraz w nowoczesnej technologii bazującej na węgliku krzemu. Pomierzone dla zakresu zaporowego charakterystyki diod Schottky'ego porównano także z charakterystykami katalogowymi. Wyznaczono wartości wybranych parametrów elektrycznych.

EN

In this paper the influence of the temperature on d.c. characteristics of the Schottky diodes has been investigated. The characteristics of the silicon Schottky diode and silicon carbide (SiC) Schottky diodes were measured at the broad range of the ambient temperature. Measured characteristics in the reverse range have been compared with the catalog's characteristics. The parameter values of the Schottky diodes were extracted.

Słowa kluczowe

PL

elektronika morska; dioda Schottky'ego

EN

marine electronic; Schottky diode

• Wydawca: Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
• Rocznik: 2004
• Tom: nr 53
• Strony: 66--75
• Opis fizyczny: Bibliogr. 24 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Dąbrowski J.

• Akademia Morska w Gdyni Wydział Elektryczny Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Shur M., Introduction to Electronic Devices, John Wiley & Sons Inc., 1996.
• 2. Benda V., Gowar J., Grant D.A., Power Semiconductor Devices - Theory and Applications, John Wiley & Sons Ltd., 1999.
• 3. Kapels H., Rupp R., Lorenz L., Zverev I., SiC Schottky Diodes: A Milestone Hard Switching Applications, PCIM 2001.
• 4. Chilukuri R.K., BaligaB.J., High Voltage Ni/4H-SiCSchottky Rectifters, IEEE 1999, pp. 161-164.
• 5. http://www.onsemi.com/site/products/MBR20200CT
• 6. http://www.darnell.com: Elasser A.. Kheraluwala M.. Ghezzo M., A Comparative Evaluation of Silicon Carbide and Silicon Diodes. 1999.
• 7. Stepancik F., Silicon Carbide Schottky Diodę - Physical Properties and Practical Experiences. International Conference Electrical Drives and Power Electronics, 2003, pp. 322-325.
• 8. Casady J.B., Johnson R.W., Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: a Review. Solid-State Electronics, vol. 39, no. 10, 1996, pp. 1409-1422.
• 9. Schoen K.J., Woodall J.M., Cooper J.A., Jr., Melloch M.R., Design Considerations and Experimental Analysis of High-Voltage SiC Schottky Barrier Rectifters, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 45, no. 7, July 1998.
• 10. Johnsen CM. et.al., Recent Progress and Current Issues in SiC Semiconductor Devices for Power Applications. IEE Proc.-Circ. Dev. Syst., vol 148, no 2, April 2001, pp. 101-108.
• 11. http://www.infineon.com
• 12. http://www.cree.com
• 13. http://www.advancedpower.com
• 14. Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiaiy przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
• 15. Klamka J., SiC - Półprzewodnik do Przyrządów Pracujących w Podwyższonej Temperaturze, „Elektronizacja" 2/2003.
• 16. http://www.infineon.eom/cmc_upload/documents/010/3288/SDP_B_Tl0S30_1.1 .pdf
• 17. http://www.infineon.eom/cmc_upload/documents/010/1342/SDP_B_T06S60_2.0.pdf
• 18. http://www.fairchildsemi.com/ds/lN%2F 1N5817.pdf
• 19. http://ww\v.irf.com/product-info/datasheets/data/l0ctql50.pdf
• 20. http://www.fairchildsemi.com/ds/MB%2FMBR1045.pdf
• 21. Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E., Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.
• 22. Dąbrowski J., Diody Schottky'ego z węglika krzemu, praca magisterska, 2003 (niepublikowana).
• 23. Cheung S.K., Cheung N.W., Extraction of Schottky Diodę Parameters from Forward Current--Voltage Characteristics, Appl. Phys. Lett. 49 (2), July 1986, pp. 85-87.
• 24. Kolendo A., Sochacki M., Szmidt J., Werbowy A., Parametiy diod Schottky'ego Pt/4H-S Krajowa Konferencja Elektroniki, Kołobrzeg 2002, s. 759-764.