Określanie czynników wpływających na przewodnictwo powierzchniowych warstw epitaksjalnych GaAs osadzanych na podłożach z GaAs z zastosowaniem metody MCF (multi carrier fit)

• Autorzy: Wolkenberg A.
• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ostatnio stwierdzono, że w materiałach o własnościach półprzewodnikowych przewodnictwo elektryczne w polu magnetycznym często nie jest proporcjonalne do tego pola. Szczególnie zjawisko to występuje w bardzo cienkich warstwach epitaksjalnych o grubościach od . kilkunastu do kilku tysięcy warstw atomowych. Wysunięto hipotezę, że w transporcie ładunków elektrycznych mogą brać udział nośniki o różnej energii (tzn. ruchliwości). Problem praktyczny jaki wynika z takiego zachowania nośników prądu wiąże się z zastosowaniem tych warstw w przyrządach pracujących w zmiennych polach elektromagnetycznych. Metody pomiarowe jakimi dysponujemy są metodami uśredniającymi, co uniemożliwia wyekstrahowanie udziału poszczególnych nośników w sumarycznej wartości przewodnictwa. W literaturze naukowej dotyczącej rozwiązania tego problemu jest znane kilka sposobów określania na podstawie odpowiednich obliczeń teoretycznych udziału poszczególnych nośników w całości przewodnictwa. W tej pracy pragnę opisać naszą oryginalną metodę pomiarowo-obliczeniową MCF (multi carrier fit), która pozwala na obliczanie na podstawie pomiarów przewodnictwa, koncentracji nośników i ich ruchliwości w funkcji temperatury udziałów poszczególnych rodzajów nośników w sumarycznym przewodnictwie cienkich warstw epitaksjalnych n - GaAs osadzanych metodą MBE (molecular beam epitaxy) na podłożach z izolacyjnego GaAs. Metoda polega na: 1. pomiarach koncentracji (nh), rezystywności (p) i ruchliwości (?h) w funkcji temperatury (4 - 300K); 2. obliczeniach zależności teoretycznych koncentracji (nH), rezystywności (p) i ruchliwości (mi h) w funkcji temperatury (4 - 300K); 3. na podstawie tych obliczeń uzyskanie przez odpowiednie przeliczenia tzw. spektrum ruchliwości czyli udziałów w sumarycznym przewodnictwie nośników pochodzących z domieszek donorowych okreśanych w trakcie obliczania teoretycznej zależności koncentracji nH od temperatury. Zastosowanie metody zilustrowano na przykładzie dwóch warstw epitaksjalnych n - GaAs/SI GaAs, nH = 4,3 1014/cm3 i nH = 1,72 1015/cm3.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 670--670

Twórcy

autor

Wolkenberg A.

• Politechnika Częstochowska, Wydział Inżynierii Procesowej, Materiałowej i Fizyki Stosowanej, Instytut Inżynierii Materiałowej