Budowa i właściwości warstw typu a-SiCxNy

• Autorzy: Kluska S. , Zimowski S. , Jonas S. , Czyżewska A.

Warianty tytułu

EN

Structure and properties of amorphous silicon carbonitride layers (a-SiCxNy)

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca obejmuje badania wpływu nastaw generatora RFCVD na skład chemiczny, strukturę i odporność na zużycie amorficznych warstw zawierających w swym składzie: krzem, węgiel, azot, określanych w literaturze jako a-SiCxNy. Warstwy te otrzymano na (OOl)Si i stalowych kulkach łożyskowych przy wykorzystaniu metody chemicznego osadzania z fazy gazowej z użyciem plazmy generowanej przez fale radiowe (Radio Frequency Chemical Vapour Deposition-RFCVD; 13,56 MHz; 300W) z mieszaniny gazowej, zawierającej silan, metan, azot i wodór. Przeprowadzono badania składu chemicznego i struktury otrzymanych warstw wykorzystując metody: SEM, EDS i FTlR. Badania ścieralności próbek przez tarcie wykonano w styku kula-płaszczyzna na tribotesterze typu trzpień-tarcza oraz przy użyciu maszyny czterokulowej w ukladzie kula - trzy krążki.

EN

The present work contains the results of investigations of the influence of the power of RF generator on the chemical composition, structure and wear resistance of amorphous silicon carbonitride layers (a-SiCxNy:H). The layers were obtained on Si(OO 1) substrates and steel balls substrates by using Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition RFCVD (13,56 MHz, 300W) from gas mixture of silane, methane, nitrogen and hydrogen. The structure and composition of deposited layers were characterized with SEM, EDS and FTlR. The tribological measurements were done by using the tribotester of the type pin-disc and by using the Four-Ball Wear Tester.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 639--641
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Kluska S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki

autor

Zimowski S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki

autor

Jonas S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki

autor

Czyżewska A.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki

Bibliografia

• [1] Xie E., Ma Z., Liu H.; Preparation and charakterization of SiCN films, Opt. Mater. 23 (2003) 151-156.
• [2] Chen L.C., Chen K.H., Wei S.L.; Crystalline SiCN: a hard material rivals to cubic BN, Thin Solid Films 355-356 (1999)112-116.
• [3] Kleps J., Angelescu A.; Correlations between properties and applications of the CVD amorphous silicon carbide films, Appl. Surf. Sci. 184 (2001) 107-112.
• [4] Chan L.C., Chen C.K., Wei S.L., Bhusari D.M., Chen K.H., Chen Y.F.; Crystalline silicon carbon nitride: A wide band gap semiconductor, Appl. Phys.Lett. 72 (1998) 2463-2465.
• [5] Fainer N.I., Maximovski E.A., Rumyantsev Y.M., Kosinova M.L., Kuznetsov F.A.; Study of structure and phase composition of nanocrystal silicon carbonitride films, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 470 (2001) 193-197.
• [6] Fernandez-Ramos C., Sanchez-Lopez J.C., Belin M., Donnet C., Pascaretti F., Fernandez A.;Tribological and mechanical properties of CNx and SiCNx-TiN/Ti multilayered systems grown onto steel, Vacuum 67 (2002) 551-558.
• [7] Chang H.L., Kuo Ch.T.; Characteristics of Si-C-N films deposited by microwave plasma CVD on Si wafers with various buffer layer materials, Diam.Rel. Mater. 10 (2001) 1910-1915.
• [8] Wu X.C., Cai R.Q., Yan P.X., Liu W.M., Tian J.; SiCN thin film prepared at room temperature by r.f. reactive sputtering, Appl. Surf. Sci. 185 (2002) 262-266.