Otrzymywanie nanokrystalicznego węglika WC-5Co z kompozytową warstwą WC-5Co-diament metodą impulsowo plazmowego spiekania

• Autorzy: Michalski A. , Siemaszko D. , Rosiński M. , Jaroszewicz J.

Warianty tytułu

EN

Fabrication ofnanocrystalline WC-5Co carbide with a WC-5Co/diamond composite surface layer using the impulse-plasma sintering method

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Metodą impulsowo plazmowego spiekania otrzymano spieki składające się z kompozytowej warstwy WC-5% wag. Co-30% obj. diamentu na podłożu z nanokrystalicznego spieku WC-5%Co. Spieki z węglika z kompozytową warstwą węglik-diament otrzymywano w jednym procesie w temperaturze 1400 K pod naciskiem 50 MPa w czasie 6 min. Kompozyty otrzymywane w tych warunkach złożone są z nanokrystalicznych ziaren WC o rozmiarze ok. 120 nm i cząstek diamentu ok. 20 µm. Podłoże z węglika spiekanego ma twardość 2000 HV30 i odporność na kruche pękanie KIC = 14,1 MPam1l2.

EN

By using impulse plasma sintering, we produced sinters composed of a sintered nanocrystalline WC-Co (5wt.%) substrate with a WC/Co (5wt.%)/diamond (30vol.%) composite layer formed on it. The carbide sinters with a carbide/diamond composite surface layer were produced during a single process carried out at a temperature of 1400K under a load of 60MPa for 6min. The composites thus produced are composed of 120 nm nanocrysta1line WC grains and 20 µm diamond particles. The cemented carbides have a hardness of 2000HV 30 and the resistance to brittle fracture KIC = 14.1 MPam1/2.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 327--329
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Michalski A.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

autor

Siemaszko D.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

autor

Rosiński M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

autor

Jaroszewicz J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

Bibliografia

• [1] Kim B. K., Ha G. H., Lee D. W.: Sintering and microstructure of nanophase WC/Co hardmetals, J. Mater. Process Technol. 63 (1997) 317-21
• [2] Shin S. G.: Experimental and simulation studies on grain growth in TiC and WC-based cermets during liquid phase sintering, Metal Mater. 6 (2000) 195-201
• [3] Ledoux M. J., Pham C. H. , Dunlop H.: Compared activities of platinum and high-surface-area Mo2C and WC catalysts for reforming reactions, J. Catal. 134 (1992) 383-98
• [4] Zhang F. L., Wang C. Y., Zhu M.: Nanostructured WC/Co composite powder prepared by high energy ball milling: Scripta Mater. 49 (2003) 1123-8
• [5] Seal M.: The effect of surface orientation on the graphitization of diamond, Phys. Stat. Sol. 3 (1963) 658-664
• [6] Howes V. R.: The graphitization of diamond, Proc. Phys. Soc. 80 (1962) 648-662
• [7] Andrzej Michalski, Jakub Jaroszewicz, Marcin Rosiński, „The synthesis of nial using the pulse plasma method with the participation of the SHS reaction”, SHS Journal 2003(12) 237- 246
• [8] Andrzej Michalski, Marcin Rosiński, Dariusz Oleszak, „Nanokrystaliczne kompozyty NiAl-TiC spiekane metodą impulsowo-plazmową” Inżynieria Materiałowa, 5 (2004), 820- 823.
• [9] Shetty D. K., Wright J. G., Mincer P. N., Clauer A., “Indentation fracture of WC-Co cermets” J. Mater. Sci. 20 (1985), 1873