Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD

• Autorzy: Dul K. , Jonas S.

Warianty tytułu

EN

Morphology of SiC layers deposited by ECRCVD and MWCVD

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem niniejszej pracy było określenie wpływu parametrów procesu MWCVD (Microwave Chemical Vapour Deposition) i ECRCVD (Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition) na strukturę geometryczną powierzchni warstw SiC osadzanych na (001)Si. Warstwy otrzymano z reaktywnych mieszanin gazowych SiH4, CH4, H2 w zakresie temperatur 600-800°C. Charakterystykę morfologii powierzchni w skali mikro i nano wykonano przy użyciu metod SEM i AFM. Do opisu struktury geometrycznej użyto parametrów amplitudowych, przestrzennych i hybrydowych. Wykazano, ze opis powierzchni geometrycznej za pomocą parametru Ra dla otrzymanych warstw jest niewystarczający.

EN

The purpose of this article is to report the influence of the process parameters in the surface morphology of SiC layers. The layers deposited on Si(100) by Microwave Chemical Vapour Deposition (MWCVD) and Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition (ECRCVD) using SiH4, CH4 H2 at substrate temperature 600-800°C. The nanostructure and microstructure were examined ex-situ using the atomic force microscopy (AFM) and the scanning electron microscopy (SEM). The nanostructure was described three-dimensional surface roughness analysis which gives a tool to quantify different aspects of surface features. It was shown that parameter Ra isn't sufficient for characterizing surface roughness.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 271--273
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Dul K.

• Akademia Górniczo Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Materiałów Ogniotrwałych i Procesów Wysokotemperaturowych

autor

Jonas S.

• Akademia Górniczo Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Materiałów Ogniotrwałych i Procesów Wysokotemperaturowych

Bibliografia

• [1] Pensl G., Morkoc H., Monemar B., Janzen E.: Silicon carbide, III-Nitrides and related materials, Materials Sience Forum, Trans tech Publications, Switzerland, 1998.
• [2] Harris G.L.: Properties of SiC, EMIS Catareviews Series, 13, The Institute of Electrical Engineers, London, 1995.
• [3] Dmitriev V.A., SiC-Based solid solutions: Technology and Properties, Springer proc. In Physics, vol.56 (1992) 3-14.
• [4] Choyke W.J., Optical and electornic properties of SiC, NATO ASI Series vol. The Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides, Manchester, England, R.Freer, 1989.
• [5] Powell J. A., Larkin D. J., Process-Induced morphological defects in epitaxial CVD silicon carbide, Physica Status Solid B, vol. 202, no. 1 (1997) 529-548,
• [6] Powell J. A., Larkin D. J., Zhou L., Pirouz P., Sources of morphological defects in SiC epilayers, Transactions Third International High Temperature Electronics Conference, Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, 1996, pp. II-3 - II - 8.
• [7] Oczoś K.E., Liubimov V.: Struktura geometryczna powierzchni. Podstawy klasyfikacji z atlasem charakterystycznych powierzchni kształtowanych, Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej, Rzeszów 2003.
• [8] Jonas S., Rava P., Stapinski T., Walasek E., UHV plasma enhanced CVD system for preparation of new generation amorphous silicon based efficient solar cells, Opto-electronics Review 9(1) (2001) 91.
• [9] Conde J.P., Chu V., da Silva M.F., Kling A., Dai Z., Soares J.C., Arekat S., Federov A., Berberan-Santos M.N., Giorgis F., Pirri C.F., J., Optoelectronic and structural properties of amorphous silicon-carbon alloys deposited by low-power electron-cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys 85 (1999) 3327.
• [10] Masuda A., Izumi A., Umemoto H., Matsumura H., What is the difference between catalytic CVD and PECVD? Gas-phase kinetics and film properties. Vacuum 66 (2002) 293.
• [11] Dul K., Jonas S., Ptak W., The Influence of MWCVD process parameters on formation SiC, CIMTEC 2002 International Ceramics Congress and 3rd Forum on New Materials – Part C/ P.Vincenzini Techna Srl, 2003 Advances in science and technology vol. 32 S107.