Synteza warstw AI203 z acetyloacetonianu glinu na węglikach spiekanych w obecności argonu i powietrza

• Autorzy: Juda W. , Sawka A. , Kwatera A.

Warianty tytułu

EN

Synthesis of alumina layers using aluminium acetylacetonate on cemented carbides in the presence of argon and air

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" Surface Treatment" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy Al203 na węglikach spiekanych syntezowano metodą MOCVD w temperaturze ok. 800°C dwuetapowo. W pierwszym etapie syntezowano warstwę pośrednią, zawierającą węgiel - grubości ok. 0,06 - 0,07 vm , co uzyskiwano wówczas, gdy gazem nośnym był argon. Warstwę zewnętrzną nie zawierającą węgla, 0 grubości ok. 4.5 vm otrzymywano, gdy gazem nośnym było powietrze. Węgiel znajdujący się w pośredniej warstwie blokował dyfuzję kobaltu do warstwy zewnętrznej a także zapobiegał utlenianiu się podłoża. Z uwagi na niską temperaturę syntezy warstwy były gładkie. Wygrzewanie ich w wyższych temperaturach powodowało powstawanie w nich fazy & - Al203, co zwiększało adhezję tej warstwy do podłoża. Wstępne badania wskazują, że możliwe jest uzyskanie warstwy 0 korzystnych parametrach bez udziału czystego amoniaku, który autorzy stosowali w dotychczasowym sposobie otrzymywania pośredniej warstwy Al2O3, zawierającej węgiel.

EN

Layers of Al203 on sintered carbides were synthesized using two - stages MOCVD method at the temperature of 800 grad C. In the first stage intermediate layer containing carbon was synthesized. Its thickness was about 0.06 - 0.07 ?m , and it was obtained using argon as carrier gas. The outer layer, without carbon, with thickness about 4.5 ?m was obtained using air as carrier gas. Carbon in the intermediate layer blocked diffusion of cobalt to the outer layer and protected the substrate from oxidation. Owning to the low deposition temperature, obtained layers were smooth. Thermal treatment in higher temperatures resulted in formation of a-Al203 which increased adhesion of the layer to the substrate. Preliminary research suggest, that it is possible to obtain a layer with favorable parameters without using costly ammonia, utilized in previous method of obtaining intermediate Al203 containing carbon.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 248--251
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Juda W.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Ceramiki Specjalnej

autor

Sawka A.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Ceramiki Specjalnej

autor

Kwatera A.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Katedra Ceramiki Specjalnej

Bibliografia

• [1] Choy K.L., Chemical vapour deposition of coatings, Progress in Materials Science 48,2003, 57–170
• [2] Funk R., Schachner H., Triquet C., Kornmann M., Lux B.: Coating of cemented carbide cutting tools with alumina by chemical vapour deposition. Journal of Electrochemical Society 123, 1976, 285-289
• [3] Johannesson T.: Electron microscopy applied to a coating process. Scandinavian Journal of Metallurgy 6,1977, 25-26
• [4] Kwatera A.: Carbon-doped α-Al2O3 films synthesized on cemented carbide tools by the Metal Organic LPCVD technique. Thin Solid Films 200, 1991,19-32
• [5] Sawka A., Kwatera A.: Cemented carbide cutting tools with high purity alumina CVD layers. Inżynieria Materiałowa 5, 2001, 805- 808
• [6] Sawka A., Kwatera A.: Krystalizacja warstw Al2O3 na węglikach spiekanych. Ceramika 66, 2001, 1001
• [7] Kwatera A., Sawka A., Wójcik M., Tomaszewski W.: Wstępne badania nad syntezą czystych warstw α-Al2O3 metodą CVD na spiekanym tlenku glinu. Inżynieria Materiałowa 5, 1999, 304