Warstwy kompozytowe wytwarzane na stopach niklu metodą P AMOCVD z użyciem par trimetyloglinu

• Autorzy: Sitek R. , Sikorski K. , Wierzchoń T. , Kurzydłowski K. J.

Warianty tytułu

EN

Composite layer produced on nickel alloys by the PAMOCVD method with the participation Al(CH3)3 vapours

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Obróbka Powierzchniowa" Surface Treatment" (VI; 20-23.09.2005; Kule k. Częstochowy, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań struktury i właściwości warstw kompozytowych Al203 z udziałem faz międzymetalicznych typu Ni - Al wytworzonych na podłożach niklowych metodą PAMOCVD z użyciem związku metaloorganicznego trimetyloglinu. Warstwy charakteryzuje duża twardość (1300 HVO,05) jak również wysoka odporność na zużycie przez tarcie w porównaniu z materiałem w stanie wyjściowym. W niniejszej pracy w celu scharakteryzowania struktury zastosowano następujące techniki badawcze: mikroskopia optyczna, mikroanaliza rentgenowska, badania dyfrakcyjne (XRD), badania skaningowe, badania transmisyjne, wykonano również pomiary mikrotwardości oraz badania odporności na zużycie przez tarcie.

EN

The paper presents the results of investigations of the Al203+NiAl+Ni3Al composite layers produced on nickel substrates by the PAMOCVD method using the trimethylaluminum in gas atmosphere. The layers have a big hardness (1300 HVO.05) and a good resistance to frictional wear. The structure of the layers was examined using an X-ray microanalysis confirmed by X-ray diffraction and Scanning Transmission Electron microscopy (STEM). The microhardness and the frictional wear resistance of the layers were also determined.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 26, nr 5
• Strony: 227--230
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Sitek R.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materaiałowej

autor

Sikorski K.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materaiałowej

autor

Wierzchoń T.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materaiałowej

autor

Kurzydłowski K. J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materaiałowej

Bibliografia

• [1] Blobaum K.J., Van Heerden D., Gavens A.J., Weihs T.P.: Al/Ni formation reactions: characterization of the metastable Al9Ni2 phase and of its formation, Acta Materialia, 51 (2003), p. 3871 – 3884.
• [2] Barmak K., Michaelson C., Bormann R., Lucadamo G.: Reactive phase formation in sputer – deposition Ni/Al thin films, Materials Research Society; (1995), p. 33 – 38.
• [3] Xi D.J., Zheng Y.D., Chen P., Chu R.M., Gu S.L., Shen B., Zhang R.: Study on the AlN/Si (1 1 1) interface properties, Optical Materials, 23 (2003), p. 143 – 146.
• [4] Chowdhuri A. Roy, Takoudis C.G.: Investigation of the aluminum oxide / Si(1 0 0) interface by chemical vapour deposition, Thin Solid Films, 446 (2004), p. 155 – 159.
• [5] Whangbo S.W., Choi Y.K., Jang H.K., Chung, Y.D., Lyo I.W., Whang C.N.: Effect of oxidized Al prelayer for the growth of polycrystalline Al2O3 film on Si using ionized beam deposition, Thin Solid Films, 388 (2001), p. 290 – 294.
• [6] Ntsmana M.C – Etoundi a, Desmaison J., Tristant P., Tixier C.: Remote microwave plasma enhanced chemical vapour deposition of alumina on metallic substrates, Surface and Coatings Technology, 120 – 121 (1999), p. 233 – 237.
• [7] Sobiecki J.R., Ossowski M., Sitek R., Wierzchoń T.: Surface layers produced by the PACVD method with the use of trimethylaluminum, Inżynieria Materiałowa, 3 (2004), p. 659 – 661.
• [8] Ballarotto V.B., Little M.E., Kordesch M.E.: Orientation of aluminum nitride films grown with hyperthermal molecural beams, Jurnal of Crystal Growth, 218 (2000), p. 173 – 180.
• [9] Lin C.H., Wang H.L, Hon M.H.: Preparation and characterization of aluminum oxide films by plasma enhanced chemical vapor deposition, Surface and Coatings Technology, 90 (1997), p. 102 – 106.
• [10] Podsiadło S.: Azotki, Wydawnictwa Naukowo – Techniczne, Warszawa 1991.
• [11] Sobiecki J.R., Sitek R., Wierzchoń T.: The use of trimethylaluminum for producing surface layers by the PACVD method, Materials Science Forum, 479 (2005), p. 3887 – 3890.