Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych

• Autorzy: Maląg A. , Sobczak G. , Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Wnuk A. , Piątkowska A. , Jakieła R.

Warianty tytułu

EN

Determination of optical parameters of epitaxial laser heterostructures

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy proponowana jest metoda określenia, na ile różni się wykonana laserowa heterostruktura epitaksjalna od zaprojektowanej. Jest to sekwencja charakteryzacji (fotoluminescencja, SEM, SIMS), analizy skorygowenego (w stosunku do projektu) na podstawie tych charakteryzacji modelu numerycznego heterostruktury i weryfikacji tego modelu poprzez pomiary wykonanych z heterostruktury diod laserowych. Uzyskanie zbieżności charakterystyk eksperymentalnych z analogicznymi charakterystykami modelu oznacza, że skorygowany model opisuje wykonaną heterostrukturę epitaksjalną.

EN

A method of determination, how much the grown epitaxial laser heterostructure differs from its design is proposed in this work. It is a sequence of characterizations (photoluminescence, SEM, SIMS), analysis of the heterostructure model corrected (with respect to the design) basing on the results of these characterizations and finally the model verification by measurements of laser diodes manufactured from the grown heterostructure. Similarity of analogous characteristics in practical devices and the model is a proof that the corrected model describes the grown heterostructure.

Słowa kluczowe

PL

heterostruktura; dioda laserowa; charakterystyka kierunkowa; fotoluminescencja; SEM; SIMS

EN

heterostructure; laser diode; directional characteristics; photoluminescence; SEM; SIMS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 88--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Maląg A.

autor

Sobczak G.

autor

Dąbrowska E.

autor

Teodorczyk M.

autor

Wnuk A.

autor

Piątkowska A.

autor

Jakieła R.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Petrescu-Prahova et al. J.: 253 mW/mm Maximum Power Density from 9xx nm Epitaxial Laser Structures with d/Γ Greater than 1 µm. The 21st IEEE Int. Semicond. Laser Conf. (ISLAC'2008), 14-18.09.2008.
• [2] Maląg A., M. Teodorczyk, E. Dąbrowska, G. Sobczak, K. Krzyżak, J. Kalbarczyk: Single-emitter high-power laser diodes for 6xx and 8xx nm bands: design and performance issues for smetric heterostructure solutions. Poster prezentowany na ELTE'2010, Book of Abstracts p.77.
• [3] Adachi S.: GaAs, AlAs, and AlxGaxAs: Material pameters for use in research and device applications. J. App. Phys., vol. 58, pp. R1-R29, 1985.
• [4] Adachi S.: Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V, and II-VI Semiconductors. Wiley, Gunma University, Gunma, Japan, 2009. Program FIMMVAVE firmy 'Photon Design' bazy danych.