Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

• Autorzy: Sarzała R. P. , Szczerbiak P. , Kudrawiec R.

Warianty tytułu

EN

Mid infrared InP-based diode lasers with diluted-nitride active regions

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.

EN

In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy półprzewodnikowe; lasery złączowe; rozcieńczone azotki; GaInNAs; średnia podczerwień

EN

semiconductor devices; semiconductor lasers; dilute nitrides; GaInNAs; mid-infrared

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 82--84
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sarzała R. P.

autor

Szczerbiak P.

autor

Kudrawiec R.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] Yin Z., X. Tang: A review of energy bandgap engineering in III-V semiconductor alloys for mid-infrared laser applications. Solid-State Electron., 51, pp. 6-15,2007.
• [2] Pabjańczyk A., R. P. Sarzała, M. Wasiak, M. Bugajski: Kwantowe lasery kaskadowe - podstawy fizyczne. Elektronika nr 5, str. 30-43, 2009.
• [3] Weyers M., M. Sato, H. Ando: Red shift of photoluminescence and absorption in dilute GaAsN alloy layers. Japanese Physics 2, Vol. 31, No. 7A, pp. L853-L855, 1992.
• [4] Kondow M., K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa: GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performaninal of Applied Physics 35, pp. 1273-1275, 1996.
• [5] Yang H.-P. D., C. Lu, R. Hsiao, C. Chiou, C. Lee, C. Huang, H. Yu, C. Wang, K. Lin, N. A. Maleev, A. R. Kovsh, C. Sung, C. Lai, J. Wang, J. Chen, T. Lee, J. Y. Chi: Characteristics of MOCVD-and MBE grown InGa(N)As VCSELs. Semiconductor Science and Technology 20, pp. 834-839, 2005.
• [6] Adachi S.: Properties of semiconductor alloys: group-IV,III-V nad II-VI semiconductors. John Wiley & Sons, 2009.
• [7] Shan W., W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz: Band anticrossing in GaInNAs alloys Physical Review Letters, Vol. 82, No. 6, pp. 1221-1224, 1999.
• [8] Kudrawiec R.: Alloying of GaNxAs1-x with InNxAs1-x: A simple formula for the band gap parameterization of Ga1-xInyNxAs1-x alloys J. Appl. Phys., 101(023522), pp. 1-6, 2007.
• [9] Bir G. L.,G. Pikus: Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors. Willey, New York, 1974.
• [10] Vurgaftman I., J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan: Band parameters for III - V compound semiconductors and their alloys. J. Appl. Phys. 89(11), pp. 5815-5875, 2001.
• [11] Vurgaftman I., J. R. Meyer: Band parameters for nitrogen-containing semiconductors. J. Appl. Phys., 94(6), pp. 3675-3696, 2003.