Zjawiska fotoelektryczne w złożonych heterostruturach HgCdTe stosowanych w konstrukcjach niechłodzonych detektorów podczerwieni

• Autorzy: Gawron W. , Rogalski A.

Warianty tytułu

EN

The photoelectric phenomena in HgCdTe heterostuctures applied in constructions of uncooled infrared detectors

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wybrane wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem konstrukcji niechłodzonych detektorów podczerwieni z warstw epiaksjalnych HgCdTe uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007.

EN

The paper presents selected results of studies connected with development of uncooled HgCdTe infrared detectors fabricated using MOCVD epitaxial deposition on GaAs substrates. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.

Słowa kluczowe

PL

heterostruktury; fotodetektory; niechłodzone detektory podczerwieni; HgCdTe; MOCVD; domieszkowanie akceptorowe; TDMAAs

EN

HgCdTe photodiode; uncooled infrared photodetectors; MOCVD growth; acceptor doping; TDMAAs precursor; response time

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 28--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Rogalski A.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Madejczyk P., A. Piotrowski, K. Kłos, W. Gawron, A. Rogalski, J. Rutkowski, W. Mróz: Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD. Bul. Pol. Ac. Tech., Vol. 57, No. 2, pp. 139-146, 2009.
• [2] Jóźwikowski K., J. Piotrowski, W. Gawron, A. Rogalski, A. Piotrowski, J. Pawluczyk, A. Jóźwikowska, J. Rutkowski, M. Kopytko: Generation-recombination effect in high temperature HgCdTe heterostructure non-equilibrium photodiodes. Joumal of Electronic Materials, 38(8), pp. 1666-1676,2009.
• [3] Kopytko M., K. Jóźwikowski, A. Rogalski, A. Jóźwikowska: High frequency response of near-room temperature LWIR HgCdTe heterostructure photodiodes. Opto-Electron. Rev., 18(3), pp. 277-283, 2010.
• [4] Madejczyk P., A. Piotrowski, K. Kłos, W. Gawron, J. Rutkowski, A. Rogalski: Control of acceptor doping in MOCVD HgCdTe epilayers. Opto-Electron. Rev., 18(3), pp. 34-39, 2010.
• [5] Rogalski A.: History of HgTe-based photodetectors in Poland. Opto-Electron. Rev., 18(3), pp. 284-294, 2010.
• [6] Jóźwikowski K., M. Kopytko, A. Rogalski, A. Jóźwikowska: Enhanced numerical analysis of current-voltage characteristics of long wavelength infrared n-on-p HgCdTe photodiodes. Journal of Applied Physics, 108, pp. 074519, 2010.
• [7] Madejczyk P., W. Gawron, A. Piotrowski, K. Kłos, J. Rutkowski, A. Rogalski: Influence of TDMAAs acceptor precursor on performance improvement of HgCdTe photodiodes. Acta Phys. Polonica A, Vol. 118 No 6, pp. 1199-1204, 2010.
• [8] Madejczyk P., W. Gawron, A. Piotrowski, K. Kłos, J. Rutkowski, A. Rogalski: Performance improvement of high-operating temperature HgCdTe photodiodes. Przyjęte do druku w Infrared Physics & Technology.
• [9] Rogalski A.: HgTe-based photodetectors in Poland. Proc. SPIE, 7298, pp. 72982Q-72982Q-11, 2009.
• [10] Madejczyk P., A. Piotrowski, W. Gawron, K. Kłos, A. Rogalski, J. Rutkowski: Morphology issues of HgCdTe samples grown by MOCVD. Proc. SPIE, 7298, pp. 729825-729825-10, 2009.
• [11] Gawron W., P. Madejczyk, A. Rogalski: Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe. Elektronika, 5, pp. 67-72, 2009.
• [12] Gawron W., A. Rogalski, P. Madejczyk, J. Pawluczyk, J. Piotrowski, A. Piotrowski: Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podcz­erwieni. Elektronika, 10, pp. 106-108, 2010.
• [13] Piotrowski A., P. Madejczyk, W. Gawron, K. Kłos, M. Romanis, M. Grudzień, J. Piotrowski, and A. Rogalski: MOCVD growth of Hg, „CdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Opto-Electron. Rev. 12, pp.453-458, 2004.
• [14] Madejczyk P., A. Piotrowski, W. Gawron, K. Kłos, J. Pawluczyk, J. Rutkowski, J. Piotrowski, and A. Rogalski: Growth and properties of MOCVD HgCdTe epilayers on GaAs substrate. Opto-Electron. Rev. 13, pp. 239-251,2005.
• [15] Piotrowski A., W. Gawron, K. Kłos, J. Pawluczyk, J. Piotrowski, P. Madejczyk and A. Rogalski: lmprovements in MOCVD growth of Hg, Cd Te heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE 5957, pp. 108-116, 2005.
• [16] Kłos K., A. Piotrowski, W. Gawron, J. Piotrowski: Insight into precur­sor kinetics using an IR gas analyzer. Opto-Electron. Rev. 18(1), pp. 95-101,2010.
• [17] Mora-Seró I., C. Polop, C. Ocal, M. Aguiló, and V. Muńoz-Sanjose: Influence of twinned structure on the morphology of CdTe(111) layers grown by MOCVD on GaAs(100) substrates. J. Crystal Growth 257, pp. 60-68, 2003.
• [18] Rogalski A., K. Adamiec, and J. Rutkowski: Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes. SPIE Press, Bellingham, 2000.
• [19] Piotrowski J., W. Gawron, Z. Orman, J. Pawluczyk, K. Kłos, D. Stępień and A. Piotrowski: Dark currents, responsivity, and response time in graded gap HgCdTe structures. Proc. SPIE, 7660, pp. 766031-766031-8,2010.