Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

• Autorzy: Gawron W. , Orman Z.

Warianty tytułu

EN

Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki badań średniofalowych detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Badania te prowadzone są w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007. Podstawę do konstrukcji fotodiod stanowią struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ - MNiSW 02/I/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

EN

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids - type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.

Słowa kluczowe

PL

detektory podczerwieni; kwantowe efekty rozmiarowe; supersieci II rodzaju; InAs/GaInSb

EN

infrared detectors; low dimensional solids; superlattice type II; InAs/GaInSb

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 22--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Orman Z.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rogalski A.: HgTe-based photodetectors in Poland. Proc. SPIE, 7298, pp. 72982Q-72982Q-11, 2009.
• [2] Gawron W., A. Rogalski, P. Madejczyk, J. Pawluczyk, J. Piotrowski, A. Piotrowski: Heterostruktury w niechtodzonych detektorach podcz­erwieni. Elektronika, 10, pp. 106-108, 2010.
• [3] Rogalski A., K. Adamiec, and J. Rutkowski: Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes. SPIE Press, Bellingham, 2000.
• [4] Piotrowski J., W. Gawron, Z. Orman, J. Pawluczyk, K. Ktoś, D. Stępień and A. Piotrowski: Dark currents, responsivity, and response time in graded gap HgCdTe structures. Proc. SPIE, 7660, pp. 766031-766031-8,2010.
• [5] Piotrowski J. and A. Rogalski: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. SPIE Press, Bellingham, 2007.
• [6] Rogalski A.: Infrared Detectors, Second Edition. CRC Press. 2010.
• [7] Smith D. L. and C. Mailhiot: Proposal for strained type II superlattice infrared detectors. J. Appl. Phys. 62, pp. 2545, 1987.
• [8] Brown G. J., F. Szmulowicz, K. Mahalingam, S. Houston, Y. Wei, A. Gon, and M. Razeghi: Recent advances in InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection. Proc. SPIE 4999, pp. 457-166, 2003.
• [9] Rogalski A., P. Martyniuk: InAs/GaInSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors. Infrared Physics & Technol. 48, pp. 39-52, 2006.
• [10] Rogalski A.: New material systems for third generation infrared pho­todetectors. Opto-Electron. Rev. 16, pp. 458-482, 2008.
• [11] Rogalski A.: Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. Opto-Electron. Rev. 14, pp. 87-101, 2006.
• [12] Rogalski A.: Material consideration for third generation infrared pho­ton detectors. Infrared Phys.& Technol. 50, pp. 240-252, 2007.
• [13] Rogalski A., J. Antoszewski, and L. Faraone: Third-generation infra­red photodetector arrays. J. Appl. Phys. 105, 091101, 2009.
• [14] Piotrowski J., A. Rogalski: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. SPIE Press, Bellingham, 2007.
• [15] Gawron W., A. Rogalski: Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. Elektronika, 5, pp. 58-60, 2009.
• [16] Gawron W., A. Rogalski: Detektory podczerwieni z supersieci II rod­zaju układu InAs/GaInSb. Biuletyn WAT, LVIII, 4, pp. 7-16, 2009.
• [17] Kaniewski J., W. Gawron: Detektory podczerwieni na bazie su­persieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. Elektronika, 10, pp. 87-89, 2010.
• [18] Rogalski A.: Recent progress in third generation infrared detectors. J. Modern Optics, 57(18), pp. 1716-1730, 2010.
• [19] Plis E., J. B. Rodriguez, G. Balakrishnan, Y. D. Sharma, H. S. Kim, T. Rotter and S. Krishna: Mid-infrared InAs/GaSb strained layer super­lattice detectors with nBn design grown on a GaAs substrate. Semicond. Sci. Technol., 25, pp. 085010, 2010.