Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb

• Autorzy: Kaniewski J. , Jasik A. , Regiński K. , Sankowska I. , Pierścińska D. , Pierściński K. , Papis E. , Wawro A.

Warianty tytułu

EN

Infrared detector structures based on type-II InAs/GaSb superlattice

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono aktualny stan technologii detektorów podczerwieni na bazie supersieci II-rodzaju ze związków InAs/GaSb. Detektory te wytwarzane są metodą epiaksji z wiązek molekularnych MBE w Instytucie Technologoii Elektronowej (ITE) w Warszawie.

EN

Present state of technology of infrared detectors based on InAs/GaSb type-II superlattice is presented. Detectors of this type are fabricated by molecular beam epitaxy MBE at the Institute of Electron Technology (IET) in Warsaw.

Słowa kluczowe

PL

detektory podczerwieni; supersieci ll rodzaju; InAs/GaSb; epitaksja MBE

EN

infrared detectors; type-ll superlattice; InAs/GaSb; epitaxy MBE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 18--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kaniewski J.

autor

Jasik A.

autor

Regiński K.

autor

Sankowska I.

autor

Pierścińska D.

autor

Pierściński K.

autor

Papis E.

autor

Wawro A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Centrum Nanofotoniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rehm R., M. Walther, J. Schmitz, J. Fleißner, F. Fuchs, J. Ziegler, W. Cabanski: InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for high-resolution thermal imaging. Proc. SPIE vol. 5957, pp. 595707-1-595707-8, 2005.
• [2] Rehm R., M. Walther, J. Schmitz, F. Rutz, J. Fleißner, R. Scheibner, J. Ziegler: InAs/GaSb superlattices for advanced infrared focal plane arrays. Infrared Phys. Technol. vol. 52, pp. 344-347, 2009.