Osadzanie warstw CdTe na podłożach GaAs metodą rozpylania katodowego

• Autorzy: Madejczyk P. , Gawron W.

Warianty tytułu

EN

CdTe sputtered films on GaAs substrates

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki eksperymentów zmierzających do otrzymania warstw buforowych CdTe na podłożach GaAs. Chropowatość próbek z udanych eksperymentów zawiera się w przedziale 30-40 nm, co wstępnie kwalifikuje te warstwy do dalszych eksperymentów w systemie MOC VD. Uzyskano również dostateczną jednorodność grubości osadzonej warstwy CdTe na całej powierzchni podłoża GaAs. Badania struktury krystalograficznej otrzymanych warstw wykazały istnienie dwóch orientacji (100) i (111), co sugeruje, że otrzymane warstwy nie są monokrystaliczne.

EN

In this report, the results of CdTe buffer layers deposition on GaAs substrates by RF sputtering are presented. Surface roughness of CdTe layers was in the range from 30 nm to 40 nm. These CdTe layers are promising material as buffer layers for HgCdTe deposition in MOC VD technology. Sufficient thickness uniformity has been achieved on the whole surface of GaAs substrate. X-ray measurements show that deposited CdTe layers have two crystallographic orientations: (100) and (111) what suggest that those layers are not monocrystallic ones.

Słowa kluczowe

PL

CdTe; rozpylanie katodowe; podłoża GaAs

EN

CdTe; rf sputtering; GaAs substrates

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 60, nr 2
• Strony: 313--320
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Madejczyk P.

autor

Gawron W.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Nowych Technologii i Chemii, Instytut Fizyki Technicznej, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2

Bibliografia

• [1] K. Adamiec, J. Rutkowski, S. Bednarek, E. Michalski, RF sputtering deposition of CdTe on GaAs substrate, SPIE Proceedings, 3179, 1997, 25-27.
• [2] J. Rutkowski, K. Adamiec, A. Rogalski, RF magnetron sputtering deposition of CdTe passivation on HgCdTe, SPIE Proceedings, 3287, 1998, 327-335.
• [3] P. Madejczyk, A. Piotrowski, W. Gawron, K. Kłos, A. Rogalski, J. Rutkowski, Morphology issues of HgCdTe samples grown by MOCVD, Proc. of SPIE, 7298 2009, 729825-1.
• [4] H. Arizpe-Chavez, R. Ramirez-Bon, F. J. Espinoza-Beltran, O. Zelaya-Angel, Confinement effects on CdTe:O sputtered films prepared at high substrate temperature, Superficies y Vacio, 8, 1999, 120-124.