Planarne polowe źródło elektronów

• Autorzy: Grzebyk T. , Górecka-Drzazga A.

Warianty tytułu

EN

Field-emission electron lateral source

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię planarnego, polowego źródła elektronów. Planarny emiter polowy został fotolitograficznie uformowany z cienkiej warstwy złota naniesionej na utlenione podłoże krzemowe. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych wykazały, że źródło elektronów w konfiguracji diodowej charakteryzuje się niskim napięciem progowym emisji i dużym prądem. Uzyskane wyniki pozwolą w przyszłości na zastosowanie opracowanego źródła elektronów w miniaturowych urządzeniach próżniowych typu MEMS.

EN

In the paper a construction and technology of the lateral, field-emission electron source are presented. Lateral nanoemitter is made from a thin gold layer, which has been deposited onto oxidized silicon wafer and photolitographically patterned. The obtained diode type structures were tested in oil-free vacuum chamber under the pressure of 2·10 ⁻³ Pa. Measurements of the current-voltage curves showed that the source has a Iow threshold voltage of field-emission (about 15 V) and high emission current (about 1 mAfor 100 V). In future, the presented results allow integration of the lateral field-emission source with miniature MEMS type vacuum devices.

Słowa kluczowe

PL

emisja polowa; źródło elektronów; charakterystyka prądowo-napięciowa

EN

field emission; lateral field-emission sources; current-voltage curves

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 6
• Strony: 108--110
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., wykr.

Twórcy

autor

Grzebyk T.

autor

Górecka-Drzazga A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Górecka-Drzazga A.: Mikro- i nanoemitery polowe. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 2008.
• [2] Fink R. L.: Technical comparison between SED and FED. www.sed-tv-reviews.com//articles/FED-vs-SED.pdf.
• [3] Spindt C. A., Brodie I., Humphrey L., Westenberg E. R.: Physical properties of thin-film field emission cathodes. J. Appl. Phys. 47, 1976, 5248.
• [4] Gray H. F., at. all: A vacuum field effect transistor using silicon field emitter array. IEDM Technical Digest, 1986, 776-780.
• [5] Busta H. H., et all: Lateral miniaturized vacuum devices. IEDM Technical Digest, 1989, 533-536.
• [6] Kanemaru S., Itoh J.: Fabrication and characterization of Lateral Field-Emitter Triodes. IEEE Transactions on Electron Devices. 38, 1991, 2334-2336.
• [7] Oro J. A., Bali D. D.: Lateral field-emission devices with subtenthmicron emiter to anode spacing. J. Vac. Sci. Technol. B. 11 (2), 1993, 464-167.
• [8] Kang W. P., at all: Vacuum diamond filed emission devices. Diamond and Related Materials. 13, 2004, 1944-1948.
• [9] Lee S. B., at all: Fabrication of carbon nanotube lateral field emitters. Nanotechnology. 14, 2003, 192-195.
• [10] Fowler H., Nordheim L. W.: Electron emission in intense electric fields. Proc. R. Soc. London A. 119, 1928, 173.
• [11] Gorol M.: Technologia i konstrukcja struktur ostrzowych. Praca dyplomowa magisterska, W-4 Politechnika Wrocławska, Wrocław 2004.
• [12] Górecka-Drzazga A., Dziuban J. A., Gorol M.: Lateran field emiter with thin-film Au emissive layer. Technical Digest of the 18th International Yacuum Nanoelectronics Conference, 10-14 July 2005, Oxford, UK, 208-209.
• [13] Lee J. H., et all: Lateral field emitter arrays with high emissiono curents and wide operation region by high field activation. J. Vac. Sci. Technol. B, 21 (1), 2003, 506-510.