Metoda funkcji Greena w modelowaniu nanoelektronicznych struktur półprzewodnikowych

• Autorzy: Hałdaś G. , Kolek A. , Tralle I.

Warianty tytułu

EN

Green's function modeling of semiconductor multilayer nanostructures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono zastosowanie formalizmu funkcji nierównowagowych funkcji Greena w odniesieniu do przyrządów nanoelektronicznych o strukturze warstwowej. Metodę zilustrowano przykładem obliczeniowym, w którym wyznaczono charakterystykę prądowo napięciową diody rezonansowej, oraz gęstości prądu i ładunku w strukturze diody.

EN

In the paper the formalism of nonequilibrium Green function referred to nanostuctural layered electronic devices has been described. The method was illustrated with numerical example in which resonant tuneling diode has been solved for current voltage characteristic and current and charge densities within the diode structure.

Słowa kluczowe

PL

funkcja Grenna; dioda rezonansowa; laser kaskadowy

EN

Geen function; resonant tunneling diode; quantum cascade laser

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 5
• Strony: 73--77
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., wykr.

Twórcy

autor

Hałdaś G.

autor

Kolek A.

autor

Tralle I.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

Bibliografia

• [1] Economou E. N.: Green's Functions in Ouantum Physics. Springer, New York, 1983.
• [2] Datta S.: Electronic transport in mesoscopic systems. Cambridge University Press, 1995.
• [3] Landauer R.: Physica Scripta, T42, 110, 1992.
• [4] Fisher D. S., Lee P. A.: Phys. Rev. B, 23, 6851, 1981.
• [5] Lake R., Klimeck G., Bowen R. C., Jovanovic D.: J. Appl. Phys. 81, 7845 1997; R. K. Lake, R. R. Pandey, arXiv:cond-mat/0607219 2006.
• [6] Kubis T., Yeh C., Vogl R.: Phys. Stat. Sol. (c) 5, 232, 2008.
• [7] Kubis T., Yeh C., Vogl R.: J. Comp. Electron. 7, 432, 2008.
• [8] Kubis T., Vogl P.: Phys. J. Comp. Electron. 6, 183, 2007.
• [9] Kubis T., Trellakis A., Vogl R.: Self-Consistent Quantum Transport Theory of Carrier Capture in Heterostructures in Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors, Springer Proceedings in Physics 110, 369, 2006.
• [10] Sirtori C., Kruck R., Barbieri S., Collot R., Nagle J., Beck M., Faist J., Oesterle U.: Appl. Phys. Lett. 73, 3486, 1998.
• [11] Sirtori C., Capasso F., Faist J., Scandolo S.: Phys. Rev. B, 50, 8663, 1994.
• [12] Kolek A., Hałdaś G.: Acta Phys. Pol. 32, 551, 2001.
• [13] Lee S. C., Wacker A.: Phys. Rev. B 66, 245314-18, 2002; A. Wacker, Phys. Stat Sol. (c) 5, 215, 2007.
• [14] Kubis T.: Private information.
• [15] Datta S.: Phys. Rev. B 40, 5830, 1989; S. Datta, J. Phys. Condens. Matter 2, 8023, 1990.
• [16] Datta S.: Superlattices and Microstructures 28, 253, 2000.
• [17] Machowska-Podsiadło E., Mączka M., Bugajski M.: Bull. Acad. Sci.-Technical Sci. 55, 245, 2007.