PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem morfologii powierzchni warstw epitaksjalnych HgCdTe, uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Przedstawiono wpływ wybranych parametrów na morfologię powierzchni warstw oraz omówiono wpływ jakości powierzchni podłoża GaAs i jego orientacji krystalograficznej. Przedstawiono także wpływ grubości warstwy HgCdTe na wielkość chropowatości powierzchni. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007.
EN
This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues such as its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. This article presents scientific results of works carried out in Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by thePolish Ministry of Science and Higher Education.
Rocznik
Strony
67--72
Opis fizyczny
Bibliogr. 23 poz., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
  • Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa
Bibliografia
  • [1] Piotrowski J.: A new method of obtaining CdxHg1-xTe thin films. Electron Technology. 5, 87-89 (1972).
  • [2] Piotrowski J., Galus W., Grudzień M.: Near room-temperature photodetectors. Infrared Phys. 31, 1-48 (1991).
  • [3] Piotrowski J., Rogalski A.: High Operation Temperature Photodetectors. SPIE, Bellingham (2007).
  • [4] Rogalski A.: HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook. Rep. Prog. Phys. 68, 2267-2336 (2005).
  • [5] Irvine S. J. C.: Metal-organic vapour phase epitaxy. W Narrow-gap II-VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications, s. 71-96, edytor P. Capper, Chapman@Hall, London, 1997.
  • [6] Cinader, G., Raizman A., Sher A.: The effect of growth orientation on the morphology, composition, and growth rate of mercury cadminum telluride layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B9, 1634-1638 (1991).
  • [7] Almeida L. A., Groenert M., Markunas J., Dinan J. H.: Influence of substrate orientation on the growth of HgCd by molecular beam epitaxy. J. Electron. Mater. 35, 1214-1218 (2006).
  • [8] Ghandhi S. K., Bhat I. B., Taskar N. R.: Growth and properties of Hg1-xCdxTe on GaAs substrates by organometallic vapor-phase epitaxy. J. Appl. Phys. 59, 2253-2255 (1986).
  • [9] Zhang L. H., Summers C. J.: A study of void defects metalorganic molecular-beam epitaxy grown HgCdTe. J. Electron. Mater. 27, 634-639 (1998).
  • [10] Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Romanis M., Grudzień M., Piotrowski J., Rogalski A.: MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Opto-Electron. Rev. 14, 453-458 (2004).
  • [11] Madejczyk P., Piotrowski A., Rogalski A., Gawron W., Kłos K., Pawulczyk J., Rutkowski J., Piotrowski J., Rogalski A.: Growth and properties of MOCVD HgCdTe epilayers on GaAs substrate. Opto-Electron. Rev. 13, 239-251 (2005).
  • [12] Piotrowski A., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Piotrowski J., Madejczyk P., Rogalski A.: lmprovements in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE 5957, 108-116 (2005).
  • [13] Triboulet R., Tromson-Carli A., Lorans D., Nguyen Duy T.: Substrance issues for the growth of mercury cadmium telluride. J. Electron. Mater. 22, 827-834 (1993).
  • [14] Maxey C. D., Fitzmaurice J. C., Lau H. W., Hipwood L. G., Shaw C. S., Jones C. L., Capper P.: Current status of large-area MOVPE growth of HgCdTe device heterostuctures for infrared focal plane arrays. J. Electron. Mater. 35, 1275-1282 (2007).
  • [15] Wang W. S., Bhat I.: (100) or (111) heteroepitaxy of CdTe layers on (100) GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy. Material Chemistry and Physics 51, 178-181 (1997).
  • [16] Mora-Seró I., Polop C., Ocal C., Aguiló M., Muňoz-Sanjose V.: Influence of twinned structure on the morphology of CdTe (111) layers grown by MOCVD on GaAs (100) substrates. J. Crystal Growth 257, 60-68 (2003).
  • [17] Feldman R. D., Kisker D. W., Austin R. F., Jefers K. S., Bridenbaugh P. M.: A comparison of CdTe grown on GaAs by molecular beam and organometric vapor phase epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. A4, 2234-2238 (1986).
  • [18] Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Pawulczyk J., Rutkowski J., Piotrowski J., Rogalski A.: Progress in MOCVD growth of HgCdTe hetrerostructures for uncooled infrared photodetectors, Infrared Physics & Technology 49, 173-182 (2007).
  • [19] Piotrowski A., Kłos K., Gawron W., Pawulczyk J., Orman Z., Piotrowski J.: Uncooled or minimally cooled 10 μm photodetectors with subnanosecond response time. Proc. SPIE, 6542, 0277786X, (2007).
  • [20] Bielecki Z., Brudnowski M., Gawron W., Pawulczyk J., Piotrowski A., Piotrowski J.: Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni drugiej generacji. Elektronika 7-8, 95-100, (2008).
  • [21] Piotrowski A., Gawron W., Kłos K., Rutkowski J., Orman Z., Pawulczyk J., Stanaszek D., Mucha H., Piotrowski J., Rogalski A.: Niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji, Elektronika, 11, 112-121 (2008).
  • [22] Rutkowski J., Madejczyk P., Piotrowski A., Gawron W., Jóźwikowski K., Rogalski A.: Two-colour HgCdTe infrared detectors operating above 200 K. Opto-Electron. Rev. 16, 321-327, (2008).
  • [23] Piotrowski A., Kłos K.: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Hg1-xCdTe Fully Doped Heterostuctures Without Post growth Anneal for Uncooled MWIR and LWIR Detectors. J. Electron. Mater. 36, 1052-1058 (2007).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAW-0003-0026
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.