Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe

Gawron, W.; Piotrowski, A.; Kłos, K.; Orman, Z.; Pawluczyk, J.; Stanaszek, D.; Kębłowski, A.; Pędzińska, M.; Piotrowski, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe

Autorzy

Gawron W. , Piotrowski A. , Kłos K. , Orman Z. , Pawluczyk J. , Stanaszek D. , Kębłowski A. , Pędzińska M. , Piotrowski J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Optimization of epitaxy of HgCdTe heterostructures for infrared photodetectors

Języki publikacji

Abstrakty

Artykuł przedstawia najciekawsze wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. w ramach realizacji zadania nr 5 PBZ -MNiSW 02/I/2007 pt.: "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe". W pracy przedstawiony został postęp w technologii heterostruktur z HgCdTe i własności uzyskanych z nich detektorów średniej i dalekiej podczerwieni (MWIR i LWIR).

This article presents scientific results of works carried out in Vigo System S.A., accomplished during realization of grant 5 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Uncooled photodetectors from HgCdTe. The paper describes the progress of technology of HgCdTe heterostructures and properties of MWIR and LWIR detectors.

Słowa kluczowe

detektory podczerwieni HgCdTe detektory niechłodzone wykrywalność

infrared photodetectors HgCdTe uncooled photodetectors detectivity

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2009

Tom

Vol. 50, nr 5

Strony

61--67

Opis fizyczny

Bibliogr. 26 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Piotrowski A.

autor

Kłos K.

autor

Orman Z.

autor

Pawluczyk J.

autor

Stanaszek D.

autor

Kębłowski A.

autor

Pędzińska M.

autor

Piotrowski J.

Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

[1] The Infrared and Electro-Optical Systems Handbook, edited by W. D. Rogatto, Infrared Information Analysis Center, Ann Arbow and SPIE Optical Engineering Press, Bellingham, 1993.
[2] Dereniak E. L., Boreman G. D.: Infrared Detectors and Systems Wiley, New York, 1996.
[3] Elliott C. T., Gordon N. T.: Infrared detectors. In Handbookon Semiconductors, vol. 4, pp. 841-936, edited by C. Hilsum, North-Holland, Amsterdam, 1993.
[4| Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infrared Photodetectors. In Infrared Photodetectors, 391-494, SPIE, Bellingham (1995) Ed. A. Rogalski.
[5] Rogalski A.: HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook. Rep. Prog. Phys. 68, 2267-2336 (2005).
[6] Piotrowski J., Piotrowski A.: Uncooled infrared photodetect in Poland. Proc. SPIE 5957, 117-128 (2005).
[7] Piotrowski J.: A new method of obtaining CdxHg1-xTe thin films. Electron Technology. 5, 87 89 (1972).
[8] Igras E., Jeżykowski R., Persak T., Piotrowski J., Nowak Z.: Epitaxial CdxHg1-xTe layers as infrared detectors. Proc 6th Int. Symp. on Photon Detectors 221, Budapest, 236 (1974).
[9] Piotrowski J., Galus W., Grudzień M.: Near room-temperature IR photodetectors. Infrared Phys. 31, 1-48 (1990).
[10] Piotrowski J., Rogalski A.: High Operation Temperature Photodetectors. SPIE, Bellingham (2007).
[11] http://www.vigo.com.pl.
[12] Piotrowski A., Gawron W., Klos K., Pawluczyk J., Piotrowski J., Madejczyk P., Rogalski A.: Improvements in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE 5957, 108-116 (2005).
[13] Piotrowski A., Madejczyk P., Gawron W., Kłos K., Pawluczyk J., Grudzień M., Piotrowski J., Rogalski A.: Recent progress in MOCVD growth of Hg1-xCdxTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors. Proc. SPIE, 5957, 273-284 (2005).
[14] Piotrowski A., Kłos K., Gawron W., Pawluczyk J., Orman Z., Piotrawski J.: Uncooled or minimally cooled 10 μm photodetectors with subnanosecond response time. Proc. SPIE, 0277786X, (2007).
[15] Niepublikowane materiały VIGO System S.A.
[16] Irvine S. J. C.: Metal-organic vapour phase epitaxy. W Narrow-gap II-VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications, s. 71-96, editor P. Capper, Chapman@Hall, London, 1997.
[17] Kłos, K., Piotrowski A., Gawron W., Piotrowski J.: Insight into precursor kinetics using an IR gas analizer.
[18] Asley T., Elliott C. T.: Non-equllibrium mode of operation for infrared detection. Electron. Lett., 21, 451-452, 1985.
[19] White, A. M.: Auger Suppression and Negative Resistance in Low Gap PIN Diode Structures. J. Appl. Phys., 26, 5, 317-324 (1986).
[20] Elliott C. T., Gordon N. T., Phillips T. J., Steen H., White A. M., Wilson D. J., Jones C. L., Maxey C. D., Metcalfe N. E.: Minimally cooled heterojunction laser heterodyne detectors in metalorganic vapor phase epitaxially grown Hg1-xCdxTe. J. Electron. Mater., 25, 1146-1150 (1996).
[21] Elliott C. T., Gordon N. T., Hali R. S., Phillips T. J., White A. M., Jones C. L., Maxey C. D., Metcalfe N. E.: Recent results on MOVPE grown heterostructure devices. J. Electron. Mater., 25, 1139-1145 (1996).
[22] Elliott C. T., Gordon N. T., White A. M.: Towards background-limited, room-temperature, infrared photon detectors in the 3-13 μm wavelength range. Appl. Phys. Lett., 74, 2881-2883, 1999.
[23] Kinch A.: Fundamental physics of infrared detector materials. J. Electron. Mater., 29, 809-817, 2000.
[24] Baker I. M., Maxey C. D.: Summary of HgCdTe 2D Array Technology in the U. K. J. Electron. Mater., 30, 6, 682-689, 2001.
[25] Ashby M. K., Gordon N. T., Elliott C. T., Jones C. L., Maxey C. D., Hipwood L., Catchpole R.: Novel Hg1-xCdxTe Device Structure for Higher Operating Temperature Detectors. J. Electron. Mater., 32,7,667-671, 2003.
[26] Kinch M. A.: Fundamental of Infrared Detector Materials. SPIE Press, Bellingham (2007).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAW-0003-0025