Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb

• Autorzy: Gawron W. , Rogalski A.

Warianty tytułu

EN

Type-ll InAs/GalnSb superlattices for infrared photodetectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia opracowanie na temat detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Powstało ono w Vigo System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 PBZ -MNiSW 02/1/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju z InAs/GalnSb. Podstawę do konstrukcji detektorów stanowić będą struktury na bazie supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/1/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

EN

This article presents scientific results of works carried out in VIGO System S.A. accomplished during realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/1/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education. We present most recent results and review progress over the past few years regarding InAs/GaSb Type II superlattices for photovoltaic detectors.

Słowa kluczowe

PL

supersieci; detektory podczerwieni; InAs/GaSb

EN

superlattices type II; InAs/GaSb; infrared photodetectors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 5
• Strony: 58--61
• Opis fizyczny: Bibliogr. 26 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gawron W.

autor

Rogalski A.

• VIGO System S.A. , Ożarów Mazowiecki

Bibliografia

• [1] Piotrowski J., Rogalski A.: Półprzewodnikowe detektory promieniowania podczerwonego. WNT, Warszawa 1984.
• [2] Piotrowski J., Galus W., Grudzień M.: Near Room-Temperature IR Photo-detectors. Infrared Phys. 31, 1, 1-48. (1991).
• [3] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infrared Photodetectors. in Infrared Photodetectors, 391-494, SPIE, Bellingham (1995).
• [4] Rogalski A., Adamiec K., Rutkowski J.: Narrow-gap semiconductor photodiodes. SPIE Press, Bellingham (2000).
• [5] Piotrowski J., Rogalski A.: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. Ed. SPIE, Bellingham (2007).
• [6] Smith D. L., Mailhiot C.: Proposal for strained type II superlattice infrared detectors. J. Appl. Phys. 62 (6), 2545 (1987).
• [7] Piotrowski J., Rogalski A.: Comment on temperature limits on infrared detectivities of InAs/InxGa1-xSb superlattices and bulk HgxCd1-xTe. J. Apel. Phys. 80, 2542-2544 (1996).
• [8] Piotrowski J., Gawron W.: Ultimate performance of infrared pho­todetectors and figure of merit of detector material Infrared. Physics & Technology, 38 (2), 63-68, (1997).
• [9] Rogalski A., Martyniuk P: InAs/GalnSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors. Infrared Physics & Technol. 48, 39-52 (2006).
• [10] Johnson J. L., Samoska L. A., Gossard A. C., Merz J. L., Jack M. D., Chapman G. H., Baumgratz B. A., Kosai K., Johnson S. M.: Electrical and optical properties of infrared photodiodes using the InAs/Ga1_xlnxSb superlattice In heterojunctions with GaSb. J. Appl. Phys., 80, 1116-1127 (1996).
• [11] Cabanski W., Eberhardt K., Rode W., Wendler J., Ziegler J., Fleißner J., Fuchs R, Rehm R., Schmitz J., Schneider H., Walther M.: 3rd gen focal plane array IR detection modules and applications. Proc. SPIE 5406, 184-192 (2005).
• [12] Rehm R., Walther M., Schmitz J., Fleißner J., Fuchs F., Ziegler J., Cabanski W.: InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for high-resolution thermal imaging. Opto-Electron. Rev. 14, 283-296 (2006).
• [13] Rehm R., Walther M., Schmitz J., Fleißner J., Fuchs F., Cabanski W., Ziegler J.: InAs/(Galn)Sb short-period superlattices for focal plane. Proc. SPIE 5783, 123-130 (2005).
• [14] Brown G. J.: Type-II InAs/GalnSb superlattices for infrared detection: an overview. Proc. SPIE 5783, 65-77 (2005).
• [15] Razeghi M., Wei Y., Gin A., Hood A., Yazdanpanah V., Tidrow M. Z., Nathan V.: High performance type II InAs/GaSb superlattices for mid, long, and very long wavelength infrared focal plane arrays. Proc. SPIE 5783, 86-97 (2005).
• [16] Rogalski A.: New material systems for thrid generation infrared photodetectors. Opto-Electron. Rev. 16 (4), 458-482 (2008).
• [17] Aifer E. H., Tischler J. G., Warner J. H., Vurgaftman I., Bewley W. W., Meyer J. R., Canedy C. L, Jackson E. M.: W-Structured type-II superlattice long-wave infrared photodiodes with high quantum efficiency. Appl. Phys. Lett. 89, 053510 (2006).
• [18] Nguyen B. M., Hoffman D., Delaunay P. Y, Razeghi M.: Dark current suppression in type II InAs/GaSb superlattice long wavelength infrared photodiodes with M-structure barrier. Appl. Phys. Lett. 91, 163511 (2007).
• [19] Rogalski A.: Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. Opto-Electron. Rev. 14, 87-101 (2006).
• [20] M. Razeghi, http://cqd.eecs.northwestern.edu/research/type2.php.
• [21] Piotrowski J., Rogalski A.: Uncooled long wavelength infrared photon detectors. Infrared Physics & Technol. 46, 115-131 (2004).
• [22] Rogalski A.: Material consideration for third generation infrared photon detectors. Infrared Physics & Technol. 50, 240-252 (2007).
• [23] Rogalski A.: Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. Proc. SPIE, 6206, 62060S (2006).
• [24] Rogalski A.: Third generation infrared detectors. Proceedings of the Sympodium on Photonics Technologies for 7th Framework Program, Wrocław 12-14 October 2006.
• [25] Piotrowski J., Rogalski A.: High-Operating-Temperature Infrared Photodetectors. Ed. SPIE, Bellingham (2007).
• [26] Rogalski A., Antoszewski J., Faraone L.: Third-generation infrared photodetector arrays. J. Appl. Phys., 105, 1 (2009).