Supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb

Kaniewski, J.; Jasik, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb

Autorzy

Kaniewski J. , Jasik A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Type-ll InAs/GalnSb superlattices

Języki publikacji

Abstrakty

Supersieci ze związków InAs/GalnSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GalnSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.

A superlattice based lnAs/Ga(ln)Sb system grown on GaSb substrate seems to be attractive alternative to HgCdTe with good spatial uniformity and an ability to span cut-off wavelength from 3...25 µm. The development of InAs/GalnSb superlattice technology is still in progress. Main difficulties are related to substrate preparation and the optimization of interface sharpness. The separate issues are referred to the device processing and their final passivation.

Słowa kluczowe

supersieć detektory podczerwień

superlattice detectors infrared

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2009

Tom

Vol. 50, nr 5

Strony

52--58

Opis fizyczny

Bibliogr. 21 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kaniewski J.

autor

Jasik A.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Rogalski A., Martyniuk P.: Infrared Phys. Technol. 48, 39 (2006).
[2] Mohseni H., Wei Y., Razeghi M.: Proc. SPIE 4288, 191 (2001).
[3] Sai-halasz G. A., Tsu R., Esaki L.: Appl. Phys. Lett. 30, 651 (1977).
[4] Smith D. L., Mailhiot C.: J. Appl. Phys. 62, 2545 (1987).
[5] Youngdale E. R., Meyer J. R., Hoffman C. A., Bartoli F. J., Grein C. H., Young P. M., Ehrenreich H.: Appl. Phys. Lett. 64, 3160 (1994).
[6] Grein C. H., Flatte M. E., Ehrenreich H., Miles R. H.: J. Appl. Phys. 77, 4156 (1995).
[7] Lau W. H., Flatte M. E.: Appl. Phys. Lett. 80, 1683 (2002).
[8] Sullivan G. J., Ikhlassi A., Bergman J., DeWames R. E., Waldrop J. R., Grein C., Flatte M., Mahalingham K., Yang H., Zhong M., Weimer M.: J. Vac. Sci. Technol. B23, 1144 (2005).
[9] Burkle L., Fuchs F., Schmitz J., Pletschen W.: Appl. Phys. Lett. 77, 11, (2000).
[10] Bosacchi A., Franchi S., Allegri P., Avanzini V., Baraldi A., Ghezzi C., Magnanini R., Parisini A., Tarricone L.: J. Cryst. Growth 150 844 (1995).
[11] Hill C., Li J., Mumolo J., Gunapala S., Rhiger D., Kvaas B., Ligururi M., Gritz M.: QWIP 2006. Proc. Int. Workshop on Ouantum Well Infrared Photodetectors. 18-24 June 2006, Kandy, Sri Lanka Ed. A. G. U. Perera.
[12] Rodriguez J. B., Christol P., Cerutti L., Chevrier F., Joullie A.: J. Cryst. Growth 274, 6, (2005).
[13] Herres N., Fuchs F., Schmitz J., Pavlov K. M., Wagner J., Ralston J. D., Koidl P., Gadaleta C., Scamarcio G.: Phys. Rev. B 53 23 (1996).
[14] Rehm R., Walther M., Schmitz J., Fleissner J., Fuchs F., Cabanski W., Ziegler J.: Proc SPIE 5783, 12 (2005).
[15] Szmulowicz F., Haugan H., Brown G. J.: Phys. Rev. B69, 155321 (2004).
[16] Szmulowicz F., Haugan H. J., Brown G. J., Mahalingham K., Ulrich B., Munshi S. R.: Optoelectron. Rev. 14, 71 (2006).
[17] Grein C. H., Lau W. H., Harbert T. L., Flatte M. E.: Proc. SPIE 4795, 39 (2002).
[18] Kim S. H., Li S. S.: Physica E16, 199 (2003).
[19] Gin A., Wei Y., Bae J., Hood A., Nah J., Razeghi M.: Thin Solid Films 447-448, 489, (2004).
[20] Razeghi M., Gin A., Wei Y., Bae J., Nah J.: Microelecronics J. 34, 405 (2003).
[21] Rehm R., Walther M., Fuchs F., Schmitz J., Fleissner J.: Appl. Phys. Lett. 86, 173501 (2005).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAW-0003-0023