Supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb

• Autorzy: Kaniewski J. , Jasik A.

Warianty tytułu

EN

Type-ll InAs/GalnSb superlattices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Supersieci ze związków InAs/GalnSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GalnSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.

EN

A superlattice based lnAs/Ga(ln)Sb system grown on GaSb substrate seems to be attractive alternative to HgCdTe with good spatial uniformity and an ability to span cut-off wavelength from 3...25 µm. The development of InAs/GalnSb superlattice technology is still in progress. Main difficulties are related to substrate preparation and the optimization of interface sharpness. The separate issues are referred to the device processing and their final passivation.

Słowa kluczowe

PL

supersieć; detektory; podczerwień

EN

superlattice; detectors; infrared

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 5
• Strony: 52--58
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kaniewski J.

autor

Jasik A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rogalski A., Martyniuk P.: Infrared Phys. Technol. 48, 39 (2006).
• [2] Mohseni H., Wei Y., Razeghi M.: Proc. SPIE 4288, 191 (2001).
• [3] Sai-halasz G. A., Tsu R., Esaki L.: Appl. Phys. Lett. 30, 651 (1977).
• [4] Smith D. L., Mailhiot C.: J. Appl. Phys. 62, 2545 (1987).
• [5] Youngdale E. R., Meyer J. R., Hoffman C. A., Bartoli F. J., Grein C. H., Young P. M., Ehrenreich H.: Appl. Phys. Lett. 64, 3160 (1994).
• [6] Grein C. H., Flatte M. E., Ehrenreich H., Miles R. H.: J. Appl. Phys. 77, 4156 (1995).
• [7] Lau W. H., Flatte M. E.: Appl. Phys. Lett. 80, 1683 (2002).
• [8] Sullivan G. J., Ikhlassi A., Bergman J., DeWames R. E., Waldrop J. R., Grein C., Flatte M., Mahalingham K., Yang H., Zhong M., Weimer M.: J. Vac. Sci. Technol. B23, 1144 (2005).
• [9] Burkle L., Fuchs F., Schmitz J., Pletschen W.: Appl. Phys. Lett. 77, 11, (2000).
• [10] Bosacchi A., Franchi S., Allegri P., Avanzini V., Baraldi A., Ghezzi C., Magnanini R., Parisini A., Tarricone L.: J. Cryst. Growth 150 844 (1995).
• [11] Hill C., Li J., Mumolo J., Gunapala S., Rhiger D., Kvaas B., Ligururi M., Gritz M.: QWIP 2006. Proc. Int. Workshop on Ouantum Well Infrared Photodetectors. 18-24 June 2006, Kandy, Sri Lanka Ed. A. G. U. Perera.
• [12] Rodriguez J. B., Christol P., Cerutti L., Chevrier F., Joullie A.: J. Cryst. Growth 274, 6, (2005).
• [13] Herres N., Fuchs F., Schmitz J., Pavlov K. M., Wagner J., Ralston J. D., Koidl P., Gadaleta C., Scamarcio G.: Phys. Rev. B 53 23 (1996).
• [14] Rehm R., Walther M., Schmitz J., Fleissner J., Fuchs F., Cabanski W., Ziegler J.: Proc SPIE 5783, 12 (2005).
• [15] Szmulowicz F., Haugan H., Brown G. J.: Phys. Rev. B69, 155321 (2004).
• [16] Szmulowicz F., Haugan H. J., Brown G. J., Mahalingham K., Ulrich B., Munshi S. R.: Optoelectron. Rev. 14, 71 (2006).
• [17] Grein C. H., Lau W. H., Harbert T. L., Flatte M. E.: Proc. SPIE 4795, 39 (2002).
• [18] Kim S. H., Li S. S.: Physica E16, 199 (2003).
• [19] Gin A., Wei Y., Bae J., Hood A., Nah J., Razeghi M.: Thin Solid Films 447-448, 489, (2004).
• [20] Razeghi M., Gin A., Wei Y., Bae J., Nah J.: Microelecronics J. 34, 405 (2003).
• [21] Rehm R., Walther M., Fuchs F., Schmitz J., Fleissner J.: Appl. Phys. Lett. 86, 173501 (2005).