Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
The MOCVD technology of antimonides on GaSb substrates for optoelectronic applications
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.
We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
49--52
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., wykr.
Twórcy
Bibliografia
- [1] Dutta P. S., Bhat H. L, Kumar V.: The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material. J. Appl. Phys. 81 (9), 1 May 1997, pp. 5821-5870.
- [2] Zongyou Yin, Xiaohong Tang: A review of energy bandgap engineering in III-V semiconductor alloys for mid-infrared laser applications. Solid-State Electronics, 51, (2007), pp. 6-15.
- [3] Aardvark A., Mason N. J., Walker P. J.: The growth of antimonides by MOVPE. Prog. Crystal Growth and Charact., vol. 35, no 3-4, pp. 207-241.
- [4] Dimroth R, Agert C, Bett A. W.: Journal of Crystal Growth. 248 (2003), pp. 265-273.
- [5] Biefeld R. M.: Materials Science and Engineering. R 36, (2002), pp. 105-142.
- [6] Lazzari J. L., Tournie E., Pitard F., Joullie A., Lambert B.: Mater. Sci. Eng. B 9, (1991) p. 125.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAW-0003-0022