Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

• Autorzy: Wesołowski M. , Strupiński W.

Warianty tytułu

EN

The MOCVD technology of antimonides on GaSb substrates for optoelectronic applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.

EN

We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; MOCVD; antymonki; GaSb; InGaSb

EN

epitaxy; MOCVD; antimonides; GaSb; InGaSb

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 5
• Strony: 49--52
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Wesołowski M.

autor

Strupiński W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Dutta P. S., Bhat H. L, Kumar V.: The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material. J. Appl. Phys. 81 (9), 1 May 1997, pp. 5821-5870.
• [2] Zongyou Yin, Xiaohong Tang: A review of energy bandgap engineering in III-V semiconductor alloys for mid-infrared laser applications. Solid-State Electronics, 51, (2007), pp. 6-15.
• [3] Aardvark A., Mason N. J., Walker P. J.: The growth of antimonides by MOVPE. Prog. Crystal Growth and Charact., vol. 35, no 3-4, pp. 207-241.
• [4] Dimroth R, Agert C, Bett A. W.: Journal of Crystal Growth. 248 (2003), pp. 265-273.
• [5] Biefeld R. M.: Materials Science and Engineering. R 36, (2002), pp. 105-142.
• [6] Lazzari J. L., Tournie E., Pitard F., Joullie A., Lambert B.: Mater. Sci. Eng. B 9, (1991) p. 125.