The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

• Autorzy: Beensh-Marchwicka G. , Prociów E. , Berlicki T.

Warianty tytułu

PL

Właściwości transportu w napylanych cienkich warstwach Ge-Sb-V

• Konferencja: 31 International Conference and Exhibition IMAPS Poland 2007 ; 23-26.09.2007 ; Rzeszów - Krasiczyn, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.

PL

Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).

Słowa kluczowe

EN

Ge-Sb-V film; thermoelectric properties; hopping conduction

PL

warstwa Ge-Sb-V; właściwości termoelektryczne; przewodnictwo hoppingowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 12
• Strony: 49--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Beensh-Marchwicka G.

autor

Prociów E.

autor

Berlicki T.

• Wrocław University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Glaninger A., Jachimowicz A., Kohl F., Chabicovsky R., Urban G.: Wide range semiconductor flow sensors. Sensors and Actuators, 85 (2000) 139.
• [2] Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Mielcarek W.: Structure of Ge-based films exhibiting thermoelectric effect. Crystal Research and Technology, 36, 8-10 (2001) 1035.
• [3] Czigany Z., Radnoczi G.: Formation of a-Ge particles with nm dimensions and their behaviour during annealing. Journal of Non-Crystalline Solids, 175 (1994) 228.
• [4] Overhof H.: Fundamental concepts in the physics of amorphous semiconductors. Journal of Non-Crystalline Solids, 227-230 (1998)15.
• [5] Banerjee S.: Non-omic hopping conduction in Ge nanocrystalline film. Physica E, 15 (2002) 164.
• [6] Mott N. F., Davis E. A.: Electronics processes in non-crystalline materials. Clarendon Press, Oxford 1971.
• [7] Van Lien N., Toi D. D.: Coulomb correlation effects in variable-range hopping thermopower. Phys.Lett. A. 261 (1999) 108.
• [8] Berlicki T., Prociów E., Beensh-Marchwicka G., Osadnik S.: Electrical properties of Ge-Au films prepared by magnetron sputtering. Vacuum, 65 (2002) 73.