Suspended beams fabricated on GaAs substrates

• Autorzy: Kramkowska M. , Zubel I. , Włodarczyk J.

Warianty tytułu

PL

Wiszące struktury belkowe na podłożu GaAs

• Konferencja: 31 International Conference and Exhibition IMAPS Poland 2007 ; 23-26.09.2007 ; Rzeszów - Krasiczyn, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The process of fabrication of suspended beams utilizing deep anisotropic etching of monocrystalline GaAs substrate has been described. Two etching formulas, based on citric and phosphoric acid have been tested. The best results, assuring successful fabrication of suspended structures were achieved in citric acid based solution at elevated temperature with AZ 1813 positive photoresist as etching mask. Obtained structures provide a great potential for monolithic integration with electronic or optical devices.

PL

Opisano proces wytwarzania podwieszanych belek wykorzystujący głębokie trawienie monokrystalicznego GaAs. Przetestowano dwa systemy trawiące: na bazie kwasu fosforowego i cytrynowego. Najlepsze wyniki, zapewniające wytworzenie regularnych podwieszanych struktur uzyskano w roztworze kwasu cytrynowego w podwyższonej temperaturze przy użyciu maski z pozytywowego fotolakieru AZ 1813. Wytworzone struktury dają możliwość monolitycznej integracji z przyrządami elektronicznymi i optoelektronicznymi.

Słowa kluczowe

EN

GaAs; anisotropic etching; free standing structures; micromechanics

PL

GaAs; trawienie monokrystaliczne; mikromechanika

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 12
• Strony: 46--48
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il.

Twórcy

autor

Kramkowska M.

autor

Zubel I.

autor

Włodarczyk J.

• Wrocław University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics

Bibliografia

• [1] Latinsky T., Burian E., Drzik M., Hascik S., Mozolova Z., Kuzmik J.: Thermal actuation of a GaAs cantilever beam. J. Micromech. Microeng. 10 (2000) 293.
• [2] Kumar P., Li L., Calhoun L., Boudreaux P., De Voe D.: Fabrication of piezoelectric Al0.3Ga0.7As microstructures. Sens. Actuat. A 115 (2004), 96.
• [3] Kramkowska M., Zubel I., Ściana B.: Chemical etching of AIIIBV heterostructures for the applications in optoelectronics and micromechanics. Proceedings of XXXI International Conference and Exhibition IMAPS Poland 2007, Rzeszów - Krasiczyn 2007, pp. 257-260.
• [4] Kramkowska M., Szyszka A., Ściana B., Zubel I.: Submicron suspended structures based on AIIIBV epitaxial layers. Materiały I Krajowej Konferencji Nanotechnologii, (2007), 202.