Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET

• Autorzy: Modzelewski J.

Warianty tytułu

EN

Simplified design method of high-frequency tuned power MOSFET amplifiers

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 6 ; 11-13.06.2007 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodę projektowania wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości klasy A, AB, B i C opartą na uproszczonym modelu tranzystora mocy MOSFET. Model ten składa się z charakterystyki statycznej tranzystora ID (UGS', UDS) i jego pojemności międzyelektrodowych, przy czym pojemności te traktowane są jako elementy wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz nie jest przewzbudzony, wówczas tranzystor MOSFET może być opisany pojedynczą statyczną charakterystyką przejściową lD (UGS). Dla dwuodcinkowo-liniowej aproksymacji charakterystyki lD (UGS) wartość szczytową prądu drenu, rezystancję obciążenia i sprawność energetyczną wzmacniacza można wyrazić wzorami w funkcji mocy wyjściowej, napięcia zasilania, kąta przepływu prądu drenu i rezystancji tranzystora w stanie włączenia.

EN

A method for design of h. f. resonant Class A, AB, B, C power amplifiers based on the simplified model of MOSFET power transistors is presented. This model consists of the static characteristic lD (UGS', UDS) and inter-electrode capacitances which are included in the input and output resonant circuits of the amplifier. If the amplifier is not overdriven then the MOSFET transistor can be described by the single transfer static characteristic ID (UGS). For the two-piece linear approximation of the characteristics lD (UGS) the peak value of the drain current, the load resistance, and the efficiency of the amplifier can be expressed by formulas as functions of the output power, the supply voltage, the drain-current conduction angle, and on-resistance of the transistor.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz klasy AB; wzmacniacz klasy B; wzmacniacz klasy C; graficzna metoda projektowania; stan krytyczny wzmacniacza

EN

class-AB amplifier; class-B amplifier; class-C amplifier; graphical design method of the amplifiers; full-drive operation of amplifier

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 11
• Strony: 51--53
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki

Bibliografia

• [1] Ryżko S., Ebert J.: Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości. WNT, Warszawa 1971.
• [2] Understanding HEXFET Switching performance, Application Note 947, www.irf.com/technical-info/appnotes/an-947.
• [3] Dryja P.: Rezonansowy wzmacniacz klasy C do laboratorium studenckiego. Praca dyplomowa inżynierska, Instytut Radioelektroniki PW, Warszawa 2002.
• [4] Chatkowski J.: Weryfikacja graficznej metody projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy z tranzystorami MOSFET. Praca dyplomowa inżynierska, Instytut Radioelektroniki PW, Warszawa 2004.
• [5] Chatkowski J.: Uproszczony model tranzystora mocy MOSFET do projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy w. cz. Praca dyplomowa magisterska, Instytut Radioelektroniki PW, Warszawa 2005.
• [6] Zysser T.: Wzmacniacz mocy w. cz. do nadajnika UKF z modulacją częstotliwości. Praca dyplomowa inżynierska, Instytut Radioelektroniki PW, Warszawa 2006.