Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników

• Autorzy: Kołtunowicz T.

Warianty tytułu

EN

Station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors expose to implantation

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono komputerowe stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych półprzewodników, które zostało zbudowane w Katedrze Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Politechniki Lubelskiej.

EN

In the paper are presented computer station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors, which was built in Department of Electrical Devices and High Voltage Technology Lublin University of Technology.

Słowa kluczowe

PL

stanowisko pomiarowe; półprzewodniki; arsenek galu; implantacja

EN

measurement station; semiconductors; gallium arsenide; implantation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 10
• Strony: 37--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kołtunowicz T.

• Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] Mott N. F., Davis E. A.: Electron Process In non-crystalline materials. Claredon Press, Oxford, 1979.
• [2] Kołtunowicz T., Żukowski P., Partyka J., Węgierek P., Komorow F. F., Własukowa L. A.: Tiemperaturnaja stabilnost wiertykalnoj izoljacii GaAs sozbannoj implantaciej ionow wodopoda. II Meżdunarodnaja naucznaja konferencija - Materiały i struktury sowriemiennoj eliektroniki, Minsk, 5-6 listopada 2006, ss. 193-196.
• [3] Kowalski M., Partyka J., Węgierek P., Żukowski P., Komarov F. F., Jurczenko A.: GaAs Layers Compensated with a Poly-Energetic Implantation of H+ Ions Applied to Horizontal Insulation of Integrated Circuit Elements. V-th International Conference "Ion implantation and other applications of ions and electrons", Kazimierz Dolny, Poland, 2004, pp. 119-120.