GaAsN as a photovoltaic material : photoelectrical characterization

• Autorzy: Kamyczek P. , Płaczek-Popko E. , Biegański P. , Zielony E. , Ściana B. , Tłaczała M.
• Konferencja: Proceedings of the European Summer School of Photovoltaics (04-07.07.2012 ; Kraków, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In summary, we present in this study the results of studies on the layers of GaAs1-xNx grown on n-type GaAs substrates by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE), Using transmittance, reflectance, photocurrent measurements and empirical expression for Eg a new nitrogen content for the studies samples was obtained. Using dark and illuminated I-V characteristics the main parameters of the Schottky contacts (short-circuit current Isc, open circuit-voltage, Voc, and fill factor, FF) were determined. Obtained contacts are promising for solar cell application.

Słowa kluczowe

EN

photovoltaic; solar cells

PL

fotowoltaika; ogniwa słoneczne

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 6
• Strony: 109--110
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Kamyczek P.

autor

Płaczek-Popko E.

autor

Biegański P.

autor

Zielony E.

autor

Ściana B.

autor

Tłaczała M.

• Institute of Physics, Wrocław University of Technology

Bibliografia

• [1] Kondow M. et al.: Japan. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
• [2] Nakahara K. et al.: IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 487 (1998).
• [3] Friedman D. J. et al.: J. Cryst. Growth 195, 409 (1998).
• [4] Kurtz S. R. et al.: 26th IEEE PVSEC (1997) 875.
• [5] Taliercio T., R. Intartaglia, B. Gil, P. Lefebvre, T. Bretagnon, U. Tisch, E. Finkman, J. Salzman, M.-A. Pinault, M. Laugt and E. Tournie: Phys. Rev. B 69, (2004) 073303.
• [6] Zhang Y., A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu: Phys. Rev. B 63, (2001) 161303.
• [7] Suzuki H., K. Nishimura, T. Hashiguchi, K. Saito, B. Balasubramanian, S. Yamamoto, M. Inagaki, Y. Ohshita, N. Kojima and M. Yamaguchi: Fabrication of GaAsN homo-junction solar cells by chemical beam epitaxy, Photovoltaic Specialists Conference, 2008. PVSC '08. 33rd IEEE.