Zachowanie fotodiody w niskiej temperaturze

• Autorzy: Pająkowski J.

Warianty tytułu

EN

Behavior of photodiode at low temperature

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody krzemowej typu SFH203 w zakresie temperatury 77...300K. Przedstawiono charakterystyki zmian prądu zwarcia Ιf, w funkcji temperatury dla różnych wartości natężenia oświetlenia Ε dla 5 egzemplarzy fotodiody. Zaproponowano nowatorskie wykorzystanie fotodiody do konstrukcji kriogenicznego przetwornika światło/napięcie pracującego w temperaturze 77K. Zaprezentowano też charakterystyki przetwarzania kriogenicznego przetwornika i pokazano, jaki jest wpływ temperatury na działanie poszczególnych składników tego przetwornika.

EN

In the paper are presented results of the tests of behaviour of silicon photodiode SFH203 in temperature range from 77...300K. There are included characteristics of changes of short-circuit current Ιf, of the photodiode versus temperature for different values of illuminance Ε for 5 photodiodes. There is proposed innovative usage of the photodiode for building a cryogenic light-to-voltage converter working at temperature of 77K. The paper also includes characteristics of processing of the cryogenic converter and presents the influence of temperature on particular components of the converter.

Słowa kluczowe

PL

niskie temperatury; fotodioda; wzmacniacz operacyjny

EN

low temperatures; photodiode; operational amplifiers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 6
• Strony: 30--32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Pająkowski J.

• Politechnika Poznańska, Katedra Systemów Telekomunikacyjnych i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Wauters F. i in.: Performance of silicon PIN photodiodes at low termperatures and in high magnetic fields. Nuclear Experiment, Elsevier, 2008.
• [2] Pająkowski J.: Zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych w niskich temperaturach. Poznańskie Warsztaty Telekomunikacyjne 2004, pp. 210-212.
• [3] Swenson J. A., Baker K. D.: CMOS operational amplifier performance at cryogenic temperatures. Cryogenics vol. 33, No 2, pp. 215-221.
• [4] Pająkowski J.: Pomiar wzmocnienia napięciowego scalonych wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 do 300 K. PAK vol. 54, 6/2008, pp. 371-373.
• [5] Pająkowski J.: Behavior of light emitting diodes at low temperature Elektronika, vol. 52, 6/2011, pp. 49-51.
• [6] Pająkowski J.: Otwarty kriostat azotowy, Elektronika vol. 45, 5/2004, pp. 33-34.
• [7] Pająkowski J.: Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101, Pomiary Automatyka Kontrola vol. 57, 12/2011, pp. 1537-1539.
• [8] LF411.pdf datasheet National Semiconductor USA 7, 2000.
• [9] SFH203xx.pdf datasheet - OSRAM Opto Semiconductors Regensburg, Niemcy 2, 2001.
• [10] EWJ85EAC.pdf datasheet - Honglitronic.