Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową

• Autorzy: Gluba Ł. , Kulik M. , Rzodkiewicz W. , Żuk J. , Kobzev A. P. , Pyszniak K. , Droździel A. , Turek M.

Warianty tytułu

EN

Application of fractional derivatives to optical studies of ion beam modified semiconductor layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiamy wyniki analizy punktów krytycznych (E₁) dla warstw GaAs oraz Si zaimplantowanych jonami Xe⁺ dwoma różnymi dawkami. W obliczeniach stosowano metodę pochodnych ułamkowych (FDS) widm funkcji dielektrycznych. Zbadano wpływ uszkodzeń radiacyjnych na własności optyczne tych półprzewodników. Do badań została wykorzystana także metoda RBS/NRA w celu zbadania grubości tlenku oraz warstwy zaimplantowanej.

EN

In this paper we present analysis of critical points (E₁) of Xe⁺ ion implanted GaAs and Si with two different fluences. In our calculations, we applied Fractional Derivative Spectra (FDS) method to dielelectric functions. Influence of radiation damage on optical properties of these semiconductors was studied. For this study RBS/NR was also applied for characterizing thickness of implanted layer and oxide layer.

Słowa kluczowe

PL

pochodne ułamkowe; implantacja jonów; własności optyczne

EN

fractional derivative; ion implantation; optical properties

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 86--89
• Opis fizyczny: Bibliogr. 23 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gluba Ł.

autor

Kulik M.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Żuk J.

autor

Kobzev A. P.

autor

Pyszniak K.

autor

Droździel A.

autor

Turek M.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Instytut Fizyki, Lublin, Polska

Bibliografia

• [1] Nastasi M., Mayer J. W.: Ion Implantation and Synthesis of Materials Springer, Berlin 2006.
• [2] http://ibmm.lps.umontreal.ca
• [3] Claeys C., Simoen E.: Radiation Effects in Advaced Semiconductor Materials and Devices. Springer, Berlin 2002.
• [4] O' Donnell K. P., Dierolf V.: Rare Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications. Springer, Berlin, 2010.
• [5] Bregolin F. L., Behar M., Sias U. S., Moreira E. C.: Nucl. Instr. Meth. B 267, 1321 (2009).
• [6] Yastrubchak O., Domagała J. Z., Sadowski J., Kulik M., Żuk J., Toth A. L., Szymczak R., Wosiński T.: J. Electr. Mat 39, 6 (2010).
• [7] Zou C. W., Zhang J., Xie W., Shao L. X., Guo L. P., Fu D. J.: Nucl. Instr. Meth. B269, 122 (2011).
• [8] Tao P., Yang Y. Z., Bai X. J., Mu Z. X., Li G. Q., Xie Z. W., Chen X. C.: Surf. Coat. Tech. 203, 1656 (2009).
• [9] Ding L., Chen T. P., Liu Y., Ng C. Y.: J. Cryst. Grow. 288, 87 (2006).
• [10] Fujiwara H.: Spectrosopic Ellipsometry. Principles and Applications Wiley, 2006.
• [11] Rzodkiewicz W., Kulik M., Pyszniak K., Kobzev A. P.:Acta Phys. Pol., 116, S129 (2009).
• [12] Kulik M., Rzodkiewicz W., Droździel A., Pyszniak K.: Phys. Stat. Solidi C8, 1315 (2011).
• [13] Kulik M., Hereć J., Romanek J.: Vacuum, 63, 761 (2001).
• [14] Kulik M., Saied S. O., Liśkiewicz J., Mączka D.: Nukleonika, 44, 167 (1999).
• [15] Kosztołowicz T.: Zastosowanie równań różniczkowych z pochodnymi ułamkowymi do opisu subdyfuzji. Wydawnictwo Uniwersytetu Humanistyczno-Przyrodniczego Jana Kochanowskiego w Kielcach, 2008.
• [16] Baleanu D. et al.: New Trends in Nanotechnology and Fractional Calculus Applications. Springer, 2010.
• [17] Loverro A.: Fractional Calculus: History, Defnitions and Applications for the Engineer. Notre Dame 2004.
• [18] He X. F.: Solid State Commun. 75, 2, 111 (1990).
• [19] He X. F., Phys. Rev. B 42, 11751 (1990).
• [20] He X. F.: Jiang R. R., Mo D., Phys. Rev. B41, 5799 (1990).
• [21] Woolam J. A.: Guide to Using WVASE 32, Software for VASE and M44 Elipsometers, (1991).
• [22] Oldham K. B., Spanier J.: The Fractional Calculus and Its Applications, Springer, 1976.
• [23] Bench M. W., Robertson I. M., Kirk M. A., Jencic I.: J. Appl. Phys. 87, 49 (2000).