Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H⁺

• Autorzy: Węgierek P. , Billewicz P.

Warianty tytułu

EN

Time characteristics of hopping charge exchange in gallium arsenide exposed on H⁺ ions

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy ustalono, że w GaAs podlegającym polienergetycznej implantacji jonów H⁺ przy temperaturach wygrzewania Ta ≥ 523K w obszarach niskich i wysokich częstotliwości konduktywność σ = const., a w obszarze przejściowym aσ ∼ fa. Z danych doświadczalnych ustalono, że na wykresach Arrheniusa dla czasów przeskoków elektronów T występują dwa obszary - przy niskich temperaturach z energią aktywacji ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV i przy wyższych z ΔΕT₂ ≈ (0,10 š 0,02) eV. Obszary te są związane z dwoma typami defektów wytworzonych podczas napromieniowania jonami.

EN

The article presents briefly results of the research conducted on gallium arsenide samples. It has been established that in GaAs exposed on polyenergy implantationof H&# 8314; ions and annealed in temperatures Ta ≥ 523K electric conductivity fulfils an equation σ = const. for both low and high frequencies bands. Additionally in medium frequencies band a proportion σ∼fa is fulfilled. On the basis of experimental data it has been concluded that on the Arrhenius plots drew for the time of the electrons jumps two different areas could be observed. The first one is typical for low temperature values described by activation energy ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV The second is specific for higher temperatures where activation energy ΔΕT₂≈ (0,10 š 0.02) eV. Those areas are connected with two different types of radiation defects created during ion exposure of sample material.

Słowa kluczowe

PL

implantacja jonowa; defekty radiacyjne; przewodnictwo skokowe

EN

ion implantation; radiation defects; hopping conductivity

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 67--69
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Węgierek P.

autor

Billewicz P.

• Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki, Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN

Bibliografia

• [1] Komarov F. F., Kamyshan A. S., Mironov A. M., Zagutin A. E., Martynow I. S.: Formation of device isolation in GaAs with poly-energetic ion implantation. Vacuum 63, 571 (2001).
• [2] Kowalski M., Partyka J., Węgierek P., Żukowski P., Komarov F. F., Jurchenko A. V., Freik D.: Freguency-dependent annealing characteristics of the implant-isolated GaAs layers. Vacuum 78, 311 (2005).
• [3] Żukowski P., Kowalski M., Partyka J., Węgierek P., Kołtunowicz T., Komarov F. F., Kamyshan A. S., Mironov A. M., Jurchenko A. V., Temperature stability of IS elements vertical isolation, prepared with the method of polyenergy ion implantation of GaAs. X International Conference Physics and Technology of Thin Films 181. Iwano-Frankowsk, 2005.
• [4] Węgierek P., Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Komarov F. F., Jurchenko A. V.: High temperature jumping conductivity in irradiated GaAs layers at alternating current. The 6th International Conference „Interaction of radiation with solids” 92, Minsk, 2005.
• [5] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Komarov F. F., Mironow A. M., Butkievith N., Freik D.: Dielectric properties and model of hopping conductivity of GaAs irradiated by H+ions. Vacuum 81, 1137 (2007).
• [6] Mott N. F., Davis E. A.: Electronic process in non-crystalline materials. Clarendon Press, Oxford 1979.