Wydajność nanoszenia cienkich warstw związków metodą reaktywnego impulsowego magnetronowego rozpylania-zjawiska na powierzchni targetu

• Autorzy: Tadaszak K. , Posadowski W. M. , Wiatrowski A.

Warianty tytułu

EN

Efficiency of thin film compound deposition by reactive pulsed magnetron sputtering-target surface phenomena

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wydajność procesów reaktywnego rozpylania magnetronowego jest w dużej mierze determinowana przez zjawiska zachodzące na powierzchni materiału rozpylanego. Większość związków na niej się tworzących cechuje się współczynnikiem rozpylania niższym niż czysty materiał, co znacznie wpływa na szybkość osadzania. Celem pracy było pokazanie możliwości śledzenia in situ zjawisk zachodzących na materiale rozpylanym (targecie) podczas reaktywnego impulsowego procesu na podstawie znajomości parametrów zasilania elektrycznego układu magnetronowego. Otrzymane wyniki zostały porównanie z odpowiednimi charakterystykami napięcia wyładowania - parametru powszechnie wykorzystywanego do kontroli procesów rozpylania.

EN

Efficiency of reactive magnetron sputtering is mainly determined by effects which took place on the target surface. Most of formed on the target compounds has lower sputtering yield than origin material, what leads to drop of deposition rate. The main purpose of presented work is to show possibilities of target surface phenomena monitoring, basing on investigation of power supply parameters. The results were compared with discharge voltage characteristics, which are widely used for control of sputtering processes.

Słowa kluczowe

PL

reaktywne rozpylanie magnetronowe; emisja elektronów wtórnych

EN

reactive magnetron sputtering; secondary electron emission

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 58--60
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Tadaszak K.

autor

Posadowski W. M.

autor

Wiatrowski A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki i Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Koski K., J. Holsa, P. Juliet: Voltage controlled reactive sputtering process for aluminium oxide thin films. Thin Solid Films 326 (1998) 189-193.
• [2] Sproul W. D., J. R. Tomashek: U. S. Patent 4, 428, 811, January 31 1984.
• [3] Schiller S., U. Heisig, K. Steinfelder, J. Strumpfel: On the investigation of d.c. plasmatron discharges by optical emission spectrometry. Thin Solid Films 96 (1982) 235.
• [4] May C., F. Milde, G. Teschner: Process Development for Large Area Reactive Magnetron Sputtering. 45th Annual Technical Conference Proceeding, 2002.
• [5] Posadowski W. M., A. Wiatrowski, J. Dora, Z. J. Radzimski: Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter. Thin Solid Films, 516 (2008) 4478-4482.
• [6] Dora J. Zasilacz rezonansowy. Urząd Patentowy RP, Patent nr 17B2851, zgł. 1996.06.
• [7] Krówka K., Wiatrowski A., Posadowski W. M.: Magnetron sputtering modes during pulsed deposition process. 8th International Conference on Coatings on Glass and Plastics ICCG. Proceedings Braunschweig, June 13-17, 2010, pp. 179-183.
• [8] Depla D., S. Mahieu, R. De Gryse: Magnetron sputter depositon Linking discharge voltage with target properties. Thin Solid Films 517 (2009) 2825-2839.
• [9] Linde D. R.: Handbook of Chemistry and Physics. New York, 1997.
• [10] Depla D., S. Heirwegh, S. Mahieu, J. Haemers, and R. De Gryse: Understanding the discharge voltage behavior during reactive sputtering of oxides. J. Appl. Phys. 101 (2007) 013301.
• [11] Depla D., R. De Gryse: Cross section for remowing chemisorbed oxygen from an aluminum target by sputtering. J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (2002) 521-525.