Wpływ parametrów pracy magnetronu na warunki nanoszenia cienkich warstw podczas procesu rozpylania

• Autorzy: Posadowski W. M. , Wiatrowski A. , Tadaszak K. , Gruszka M. , Zdunek K.

Warianty tytułu

EN

The influence of technology parameters on the thin film deposition conditions during magnetron sputtering

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano proces impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw. Celem prac było określenie wpływu parametrów układu magnetycznego oraz trybu pracy magnetronu na warunki osadzania warstw. Rozpylano targety o średnicy 50 mm: i) Cu (wpływ konfiguracji układu magnetycznego, ii) Al (otrzymywanie warstw w obecności gazu reaktywnego - mod argonowy, mod reaktywny). Stopień rozbalansowania magnetronu określano, mierząc gęstość prądu jonowego płynącego do spolaryzowanego podłoża (Up=-100 V) podczas rozpylania magnetronem z układami magnetycznymi o różnej konfiguracji magnesów NdFeB. Badano charakterystyki elektryczne magnetronu oraz temperaturę na napylanym podłożu.

EN

The pulsed reactive magnetron sputtering process was investigated. The estimating of influence of magnetic assembly parameters was the aim of works as well as the magnetron sputtering mode on conditions of thin layers condensation on substrate. The 50 mm in diameter targets were sputtered: i) Cu (the influence of the magnetic assembly configuration, ii) Al (reactive deposition of thin films - argon mode, reactive mod). The unbalancing of magnetron was estimated by substrate current density (Up=-100 V) measurements using magnetron equipped with magnetic assembly (different configuration of NdFeB magnets). Magnetron electrical characteristics and temperature near substrate were measured.

Słowa kluczowe

PL

magnetron; reaktywne rozpylanie magnetronowe

EN

magnetron; reactive magnetron sputtering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 45--47
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Posadowski W. M.

autor

Wiatrowski A.

autor

Tadaszak K.

autor

Gruszka M.

autor

Zdunek K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Thornton J. A.: Influence of substrate temperature and deposition rate on structure of thick sputtered Cu coatings. Journal Vac. Sci. Technol. 12, (1975), pp. 830-835.
• [2] Musil J.: Basic properties of low-pressure plasma. Proceedings ot Int. School of Physics „Enrico Fermi”, Course CXXXV, A. Paoletti, A. Tucciarone (Editors), IOS Press, Amsterdam, (1997), pp. 145-177.
• [3] Shaginyana L. R., J. G. Hań, V. R. Shaginyan, J. Musil: Evolution of film temperature during magnetron sputtering. Journal Vac. Sci. Technol., A24(4), Jul/Aug (2006), pp. 1083-1090.
• [4] Berg S., T. Nyberg: Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes Thin Solid Films, 476, (2005), pp. 215-230.
• [5] Posadowski W. M., Wiatrowski A., J. Dora, Z. J. Radzimski: Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter. Thin Solid Films, 516, (2008), pp. 4478-4482; J. Dora, Zasilacz rezonansowy, Urząd Patentowy RP, Patent nr 178285, zgł. 1996.06.