Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃

• Autorzy: Gryglewicz J. , Oleszkiewicz W. , Wośko M. , Szyszka A. , Paszkiewicz B.

Warianty tytułu

EN

Reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures in Cl₂/BCI₃ plasma

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W procesie reaktywnego trawienia jonowego (RIE) wielkiej częstotliwości (w.cz) heterostruktur AlGaN/GaN, badano wpływ oddziaływania potencjału auto-polaryzacji dc podłoży (dc bias) oraz mocy wyładowania w.cz. na morfologię trawionej powierzchni oraz szybkość trawienia azotku galowo-glinowego. Procesy trawienia heterostruktur AlGaN/GaN, wytworzonych przy ciśnieniu atmosferycznym, techniką LP-MOVPE, wykonywano w urządzeniu Oxford Instruments Plasmalab 80Plus RIE. Szybkości trawienia oraz wpływ oddziaływania bombardowania jonowego na trawioną powierzchnię podloża badano przy użyciu mikroskopu sił atomowych (AFM) firmy Veeco Instruments pracującym w modzie tappingu. Podłoża testowe trawiono w plazmie chlorowej w stałej proporcji mieszaniny gazów CI₂/BCI₃/Ar.

EN

This work is concentrated on description of influence of process conditions on RIE of AlGaN/GaN heterostructures results, especially the influence of self-dc bias and rf power on morphology and etch rate of AlGaN. In study Oxford Instruments Plasmalab80 RIE tool was used to perform RIE processes on heterostructures grown using MOVPE technique at atmospheric pressure. The etch rates and the influence of ion bombardment on the heterostructures surface was studied by atomic force microscope (AFM) in tapping mode. The test heterostructures were etched in chlorine-based plasma at constant gas mixture of CI₂ /BCI₃/Ar.

Słowa kluczowe

PL

reaktywne trawienie jonowe; plazma; DC bias; heterostruktura AlGaN/GaN

EN

reactive ion etching; plasma; DC bias; AlGaN/GaN heterostructure

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 19--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Gryglewicz J.

autor

Oleszkiewicz W.

autor

Wośko M.

autor

Szyszka A.

autor

Paszkiewicz B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Basak D., T. Nakanishi, S. Sakai: Reactive ion etching of GaN using BCl3, BCl3/Ar and BCl3/N2 gas plasmas (2000) 725-728.
• [2] Medelci N., A. Tempez, D. Starikov, N. Badi, I. Berishev oraz A. Bensaoula: Etch characteristics of Gan and BN materials in chlorine-based plasmas. Journal of Electronic Materials (2000) 1079-1083.
• [3] Li R., T. Dai, L. Zhu, H. Pan, K. Xe, B. Zhang, Z. Yang, G. Zhang, Z. Gan oraz X. Hu: The reactive ion etching characteristics of AlGaN/GaN SLs and etch-induced damage study of n-GaN using Cl2/SiCl4/Ar plasma. Journal of Crystal Growth (2007) 375-378.
• [4] Pearton S. J., R. J. Shul, F. Ren: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5 (2000) 11.
• [5] Lee J., K. Chang, I. Lee, S. Park: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1409.
• [6] Buttari D., A. Chini, T. Palacios, R. Coffie, L. Shen, H. King, S. Heikman, L. McCarthy, A. Chakraborty, S. Keller oraz U. K. Mishra: Origin of etch delay time in Cl2 dry etching of AlGaN/GaN structures. Applied Physics Letters vol. 83 (2003) 4779-4781.