Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM

• Autorzy: Czerwiński M. , Orzyłowski M.

Warianty tytułu

EN

Control unit of system for SiC crystal growth as element of CIM system

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł omawia na wstępie sterowanie prototypowego stanowiska do monokrystalizacji SiC. Ze względu na perspektywę budowy linii produkcyjnej, wyposażonych w tego rodzaju stanowiska, zaprezentowana jest też koncepcja rozwoju systemu sterowania. Jej celem jest komputerowa integracja całej linii z możliwością włączenia jej w dalszej kolejności w komputerowo zintegrowany system wytwarzania (CIM). Jako priorytety przyjęto niezawodność działania linii oraz zwiększanie wydajności i jakości produkcji na bazie analizy zarejestrowanych przebiegów procesów produkcyjnych.

EN

The paper at the beginning describes the control of the prototype system for the growth of SiC crystals. Taking into account the possibility of building of the production line equipped with such systems the conception of control system development is presented also. The aim is computer integration of the whole line with possibility inclusion in computer integrated manufacturing system (CIM). The reliability of the line functioning and increasingy of productivity and quality of the products carried out on the basis of process data collection analysis has been chosen as the priorities.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; monokrystalizacja; sterowanie; zintegrowane komputerowo wytwarzanie

EN

silicon carbide; crystal growth; computer integrated manufacturing

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 7
• Strony: 110--113
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Czerwiński M.

autor

Orzyłowski M.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Łobodziński W., Orzyłowski M., Rudolf Z., Orzechowski Z., Kozłowski J., Wiechowski J.: Stanowisko do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 12/2008, str. 49-54, ISSN 0033-2089.
• [2] Orzyłowski M., Rudolf Z.: Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2009, str. 150-154, ISSN 0033-2089.
• [3] Grasza K., Tymicki E., Orzyłowski M.: Badania walidacyjne do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2010, str. 193-197, ISSN 0033-2089.
• [4] Grasza K., Tymicki E., Racka-Dzietko K., Orzyłowski M.: Experimental verification of a novel system for the growth of SiC single crystals. Materials Science Forum, Vol. 679-680 (2011), pp. 16-19.
• [5] Pająk E.: Zarządzanie produkcją, Produkt technologia, Organizacja PWN, Warszawa, 2010.
• [6] Polski Komitet Normalizacyjny. PN-ISO/IEC 2382-24, Wytwarzanie zintegrowane komputerowo. Warszawa, 1999.