Charakteryzacja krzemowych kropek kwantowych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu

• Autorzy: Lipiński M.

Warianty tytułu

EN

Characterization of silicon quantum dots in multilayer silicon nitride

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedmiotem pracy są krzemowe nanocząstki wytworzone w wielowarstwowej strukturze azotku krzemowego, która mogą być zastosowane w ogniwach słonecznych trzeciej generacji. Wielowarstwowe struktury azotku krzemu SiNx osadzono przy użyciu techniki RF PECVD. Krzemowe kropki kwantowe zostały wytrącone w warstwach SiNx z nadmiarem krzemu w wyniku ich wygrzewania w 1100°C. Widma fotoluminescencji wykazały przesunięcie maksimów PL w kierunku wyższych energii w wyniku wygrzewania w 1100°C wyniku krystalizacji krzemowych nanocząstek. Optyczne krawędzie absorpcji wielowarstwowych struktur kwantowych zostały oszacowane z wykresów Tauca.

EN

The work concern silicon quantum dots Si QDs fabricated in multilayer structure of silicon nitride for third-generation solar cells application. The multilayer structures were deposited by RF PECVD method. The silicon quantum dots were precipitated from Si-rich layers SiNx due to high temperature annealing process at 1100°C. The photoluminescence spectra indicated the blue shift the maxima after annealing at 1100°C due to crystallization of silicon nanoparticles. The optical absorption edges of multilayers quantum structures were estimated by Tauc's plots.

Słowa kluczowe

PL

kropki kwantowe; ogniwa słoneczne trzeciej generacji

EN

quantum dots; silicon solar cell third generation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 4
• Strony: 73--76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Lipiński M.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków

Bibliografia

• [1] Green M. A.: Third generation Photovoltaics: Advanced Solar Electricity Generation. (Springer-Verlag, Berlin 2003).
• [2] Cho Y. H., M. A. Green, E.-C. Cho, Y. Huang, T. Trupke, G. Coniber: Silicon Quantum Dots in SiNx Matrix for Third Generatiuon Photovoltaics. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2005, Barcelona, Spain, 47-50.
• [3] Green M. A.: Recent developments and future prospects for third generation and other advanced cells. IEEE, 2006, 15-19.
• [4] Coniber G.: Third-generation photovoltaics. Materials Today 10, no. 11, 2007, 42-50.
• [5] Cho E.-C., Green M. A., Conibeer G.,et al.: Quantum Dots in a Dielectric Matrix for All-Silicon Tandem Solar Cells. Hindwai Publishing Corporation, Advances in OptoElectronics (2007), 1-11.
• [6] Scardera G., Puzzer T., Perez-Wurfl I., Conibeer G.: The effect of annealing temperature on the photoluminescence from silicon nitride multilayer structures. Journal of Crystal Growth 310 (2008) 360-3684.
• [7] Demichelis F., Kaniadakis G., Tagliaferro A., Tresso E.: Appl. Opt. 26(1987) 1737.
• [8] Pankove J. I.: Optical processes in Semiconductors (Dover, New York, 1975).