PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Chemiczna modyfikacja powierzchni krzemu krystalicznego do zastosowań w fotowoltaice

Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
The chemical modification of a surface of crystalline silicon for pv application
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Redukcja współczynnika odbicia (R ref) dla krzemu monokrystalicznego (Cz-Si) i multikrystalicznego (mc-Si), realizowana poprzez wytworzenie tekstury powierzchniowej, należy do najważniejszych etapów obróbki chemicznej w procesie produkcji ogniw słonecznych na bazie krzemu krystalicznego. W pracy przedstawiono rodzaje tekstury w zależności od orientacji krystalograficznej powierzchni Si i określono wpływ danego rodzaju tekstury na wartość współczynnika odbicia w zakresie długości fali od 400 do 1100 nm. Porównano podstawowe parametry prądowo-napięciowe wytworzonych ogniw słonecznych w zależności od morfologii powierzchni ogniwa i rodzaju materiału bazowego. Techniką skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) zbadano wpływ alkoholu o podwyższonej temperaturze wrzenia wynoszącej 158°C na proces teksturyzacji i morfologię powierzchni krzemu Cz-Si o orientacji krystalograficznej (100).
EN
The reduction in reflectance (R ref) for monocrystalline (Cz-Si) and multicrystalline silicon (mc-Si), implemented by creating the surface texture, is tine most important step of chemical processing in the manufacture of solar cells based on crystalline silicon. The paper presents the types of textures depending on the crystallographic orientation of the Si surface and the impact of given type of texture on the value of reflectance in the wavelength range from 400 to 1100 nm. The paper also compares the basic parameters of solar cells current-voltage characteristics related to solar cell surface morphology and the type of base material. The influence of alcohol at the elevated boiling point of 158°C on the texturisation process and surface morphology of crystal orientation (100) of Cz-Si silicon was investigated using scanning electron microscopy (SEM) technique.
Rocznik
Strony
70--73
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej, Polska Akademia Nauk, Kraków
Bibliografia
  • [1] Kashkoush I. i in.: Examining cost of ownership of crystallinesilicon solar-cell wet processing: texturization and cleaning. Photovoltaics International, 3 (2009) pp. 81-92.
  • [2] Panek P.: Ksztattowanie struktury krzemu porowatego w aspekcie własności elektrycznych i optycznych ogniwa słonecznego. Praca doktorska, Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków 2005.
  • [3] Panek P. i in.: Texturization of multicrystalline silicon by wet chemical etching for silicon solar cells, Journal of Materials Science, 40 (2005) pp. 1459-1463.
  • [4] Rover I. i in.: An advanced process for wet chemical etching of silicon-the system NOHSO4/HF. 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, 4-8 September 2006.
  • [5] Basu P. K. i in.: A new energy efficient, environment friendly and high productive texturization process of industrial multicrystalline silicon solar cells. Renewable Energy 34 (2009) pp. 2571-2576.
  • [6] Panek P. i in.: Crystalline Silicon Solar Cells. Proceedings of the IX Electron Technology Conference, ELTE 2007, Kraków, Poland, 4-7 September 2007 pp. 101-104.
  • [7] Menna P. i in.: Porous Silicon in Solar Cells: A Review and a Description of its Application as an AR Coating. Solar Energy Mater. Solar Cells, 37 (1995) 13-24.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0020
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.