Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego

• Autorzy: Filipowski W. , Waczyński K. , Wróbel E. , Skwarek A. , Drabczyk K.

Warianty tytułu

EN

Effective values of difussion coefficient for the model of difusion doping of the solar cell emitter layer

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Prawidłowy model procesu technologicznego daje możliwość przeprowadzenia symulacji, która w sposób wystarczająco dokładny będzie odzwierciedlała proces rzeczywisty. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnymi wartościami współczynników dyfuzji dla modelu domieszkowania krzemu fosforem, przy założeniu niezależności współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki.

EN

The correct model of the technological process gives an opportunity to perform a simulation that reflects the real process accurately enough. This paper presents the results of research on effective values of the diffusion coefficient for the model of phosphorus doped silicon, assuming independency of the diffusion coefficient from the diffusion dope concentration.

Słowa kluczowe

PL

ogniwo słoneczne; struktura fotowoltaiczna; warstwa emiterowa; domieszkowanie krzemu; symulacja komputerowa

EN

solar cell; photovoltaic structure; emitter layer; silicon doping; computer simulation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 4
• Strony: 57--59
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Filipowski W.

autor

Waczyński K.

autor

Wróbel E.

autor

Skwarek A.

autor

Drabczyk K.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Crank J.: The mathematics of diffusion, Clarendon Press, Oxford 1975.
• [2] Bentzen A., Christensen J., Svensson B., Holt A.: Understanding phosphorus emitter diffusion in silicon solar cell processing. Proceedings of the 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference, pp. 1388-1391, Germany Dresden 2006.
• [3] Campbell S.: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication. Oxford University Press, New York 2001.
• [4] Antoncik E.: Modeling of very high concentration effects on impurity diffusion in semiconductors. Elsevier, Materials & Design, Vol. 22, p. 69-76, February 2001.
• [5] Richardson W., Carey G., Mulvaney B.: Modeling phosphorus diffusion in three dimensions. Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE Transactions, Vol. 11, p. 487-496, April 1992.
• [6] Uematsu Masashi: Simulation of boron, phosphorus, and arsenic diffusion in silicon based on an integrated diffusion model, and the anomalous phosphorus diffusion mechanism. Journal of Applied Physics, Vol. 82, p. 2228-2246, September 1997.
• [7] Velichko O., Dobrushkin V., Pakula L.: A model of clustering of phosphorus atoms in silicon. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, vol. 123, pp. 176-180, 2005.
• [8] Wolf H.: Półprzewodniki. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1975.
• [9] French C., Belman D., Kardes D., Hendricks R.: Determination of junction depths for phosphorous diffused in silicon. University/Government/Industry Microelectronics Symposium, 2001. Proceedings of the Fourteenth Biennial, p. 51-59, 17-20 June 2001.
• [10] Shaw D.: Atomic diffusion in semiconductors. Plenum Press, London and New York, 1973.
• [11] Fair R., Tsai J., A Quantitative Model for the Diffusion of Phosphorous in Silicon and the Emitter Dip Effect. J. Electrochem. Soc. 124(7), p. 1107, 1977.
• [12] Tsai J.: Diffusion. VLSI Technology edited by Sze S. M., Bell Laboratories, Incorporated Murray Hill, New Jersey 1983.
• [13] Frank H., Snejdar V.: Halbleiter-bauelemente, Band 1-Physic und Technik der Halbleiterwerkstoffe. Akademie-Verlag, Berlin 1964.
• [14] Howard B.: J. Elektrochem. Soc., 1957.