PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Badanie właściwości cienkich warstw pasywujących z SiO₂ w strukturze ogniwa fotowoltaicznego

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Properties studies of thin SiO₂ passivates films in a photovoltaic cell structure
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad wykorzystaniem techniki wytwarzania cienkich warstw ditlenku krzemu pełniących rolę warstwy pasywującej w strukturze krzemowego ogniwa słonecznego. Podano parametry warstw szkliwa krzemionkowego (SiO₂) wytworzonych przy wykorzystaniu techniki rozwirowania (spin-on) specjalnych roztworów na bazie tetraetoksysilanu, wykorzystywanych jako warstwy pasywujące w strukturze ogniwa słonecznego.
EN
In this paper we present the results of using a preparation method of SiO ₂ thin films which are a passivates layer in a solar cell structure. The parameters of silica glaze (SiO₂) prepared by using spin-on technique, which use special passivates solutions made on tetraethyl orthosilicate base, were shown.
Rocznik
Strony
55--57
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., tab., wykr., il.
Twórcy
autor
autor
  • Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice
Bibliografia
  • [1] Szlufcik J.: prezentacja multimedialna, materiały udostępnione.
  • [2] Waczyński K., Krompiec S., Łoś S.: Badania nad zastosowaniem szkliwa planaryzującego w technologii krzemowej. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, Seria:Chemia z. 129, Gliwice (1993) 127-138.
  • [3] Wróbel E., Waczyński K., Karasiński P.: Pomiary parametrów warstw dielektrycznych wytworzonych metodą “spin-on” (Measurements of dielectric layers parameters produce by spinon method). VIII Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 07-10 czerwca 2009, ss. 55-59.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0015
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.