Właściwości ochronne i pasywujące amorficznych pokryć antyrefleksyjnych na krzemowe ogniwa słoneczne

• Autorzy: Swatowska B. , Kluska S. , Zimowski S.

Warianty tytułu

EN

Protective and passivating properties of amorphous antireflective coatings for silicon solar cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Amorficzne warstwy uwodornione typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H, stosowane jako pokrycia antyrefleksyjne w ogniwach słonecznych, podwyższają ich sprawność. Niestety mechaniczne uszkodzenia ogniw oraz defekty strukturalne są źródłem strat w ich sprawności. Dodatkowe właściwości ochronne i pasywujące warstw antyrefleksyjnych mogą wpłynąć na minimalizację strat w sprawności ogniw. Do wytwarzania wspomnianych warstw wykorzystano metody chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD, a jako reagenty posłużyły gazy: SiH₄, CH₄ oraz NH₃. Wykonano szereg badań w celu określenia właściwości strukturalnych, pasywujących i ochronnych otrzymanych powłok. Wpływ tych wszystkich właściwości na parametry elektryczne krzemowych ogniw słonecznych pozwolił wysunąć tezę, że tego rodzaju pokrycia antyrefleksyjne nie tylko efektywnie zmniejszają współczynnik odbicia światła od powierzchni ogniw, ale także poprawiają spójność i jednorodność podłoży krzemowych. Stanowi to dodatkową zaletę tychże warstw w kontekście zmniejszania strat w parametrach prądowych i sprawności multikrystalicznych krzemowych ogniw słonecznych.

EN

Amorphous hydrogenated thin films a-Si:C:H and a-Si:N:H, applied as antireflective coatings for solar cells, are increasing their efficiency. Unfortunately mechanical damage of cells and structural defects are the source of losses in their efficiency. Additional protective and passivaiting properties of antireflective layers can influence the minimization of losses in the efficiency of solar cells. For obtaining above mentioned thin films a chemical vapor deposition (PECVD) method was used and as reagents gasses agreed: SiH₄, CH₄ and NH₃. A sequence of measurements was carried out with a view to determining structural, passivating and protective properties of received layers. Influence of these all properties on electric parameters of silicon solar cells, he let put the thesis forward that kind of received antreflective coatings are not only effectively reducing the reflectance coefficient from the surface of solar cells, but also they are improving the cohesion and the homogeneity of silicon bases. It constitutes the additional advantage of these layers in the context of reducing losses in the electrical parameters and the efficiency of multicrystalline silicon solar cells.

Słowa kluczowe

PL

amorficzne warstwy antyrefleksyjne; krzemowe ogniwa słoneczne; pasywacja; właściwości ochronne

EN

amorphous antireflective coatings; silicon solar cells; passivation; protective properties

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 4
• Strony: 45--47
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Swatowska B.

autor

Kluska S.

autor

Zimowski S.

• Katedra Elektroniki, Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

Bibliografia

• [1] http://www.energiasloneczna.com/
• [2] Swatowska B., Stapiński T.: Amorficzne warstwy uwodornione typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H do zastosowań w ogniwach słonecznych jako pokrycia antyrefleksyjne. Elektronika, nr 5 (2010) 25-28.
• [3] Sopori B.: Dielectric films for Si solar cell applications. J. Electron. Mater., 34(5) (2005) 564-570.
• [4] Meneve J., Dekempeneer E., Kuypers S., Jacobs R., Smeets J.: Substrate bias effect on the tribological properties of a-Si1-xCx:: H films. Diam. Relat. Mater., 4 (1995) 366-369.
• [5] Moschner J. D., Henze J., Schmidt J., Hezel R.: High-quality Surface Passivation of Silicon Solar Cell in an Industrial-type Inline Plasma Silicon Nitride Deposition System. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 12 (2004) 21-31.
• [6] Swatowska B., Stapiński T.: Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells. Materiały Elektroniczne, T. 38-2010 nr 1, 13-16.