Ocena jakości ogniw fotowoltaicznych z krzemu krystalicznego na podstawie wyznaczonych empirycznie różnymi metodami pomiarowymi wartości rezystancji szeregowej w funkcji temperatury

• Autorzy: Klugman-Radziemska E. , Modzelewski M.

Warianty tytułu

EN

Quality assessment of photovoltaic crystalline silicon solar cells empirically obtained by different methods of series resistance measuring in a function of temperature

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszej pracy przedstawiono analizę wpływu wzrostu temperatury na wartość rezystancji szeregowej krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. Na wstępie przedstawiono teoretyczne i praktyczne informacje na temat składników rezystancji szeregowej i jej wpływu na parametry elektryczne ogniw. Dla zbadania wpływu temperatury na wartość rezystancji szeregowej zbudowano dwa stanowiska eksperymentalne, pozwalające na wyznaczanie ciemnych i dynamicznych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw. Na podstawie wyników pomiarów wyznaczono wartość rezystancji szeregowej w funkcji temperatury z zastosowaniem dwóch metod obliczania: metodzie opartej na modelu jednodiodowym, opartej na analizie charakterystyk ciemnych i standaryzowanej metodzie analizy charakterystyk dynamicznych. Wskazano na różnice w otrzymanych za pomocą tych metod wynikach.

EN

In this paper the influence of rising temperature on the series resistance values across crystalline silicon solar cells was considered. In introduction theoretical and practical information about origins and impacts of series resistance on quality parameters of crystalline cells were specified in introduction. In order to prove that temperature of the surface of a crystalline silicon solar cells influences series resistance and to examine the magnitude of that influence, two experimental setups, enabling to collect dark and dynamic current-voltage characteristics, were constructed. On the basis of achieved dark and dynamic characteristics of crystalline silicon solar cells, the value of series resistances versus temperatures of different cells were determined in accordance with two different methods of calculation. The diode forward characteristic method based on one-diode equivalent model of photovoltaic cell under dark conditions and standardized method under illumination was chosen. The differences between them were compared.

Słowa kluczowe

PL

ogniwa fotowoltaiczne; krzem krystaliczny; rezystancja szeregowa; charakterystyka prądowo-napięciowa

EN

photovoltaic solar cells; crystalline silicon; series resistance; current-voltage characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 4
• Strony: 38--41
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Klugman-Radziemska E.

autor

Modzelewski M.

• Politechnika Gdańska, Wydział Chemiczny

Bibliografia

• [1] Kamiński A., Marchand J. J., Laugier A.: Non ideal dark I-V curves behaviour of silicon solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 51, p. 221-231 (1998).
• [2] Bashahu M., Habyarimana A.: Review and Test of Methods for Determination of the Solar Cell Series Resistance. Renewable Energy, Vol. 6 No. 2, p. 129-138 (1995).
• [3] Radziemska E.: Dark I-U-T measurements of single crystalline silicon solar cells. Energy Conversion and Management, Vol. 46, p. 1485-1494 (2005).
• [4] Wolf M., Rauschenbach H.: Series resistance effects on solar cell measurements. Advanced Energy Conversion, Vol. 3, p. 455-479 (1963).
• [5] Stutenbaeumer U., Mesfin B.: Equivalent model of monocrystalline, polycrystalline and amorphous silicon solar cells. Renewable Energy, Vol. 18, p. 501-512 (1999).