Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu

• Autorzy: Dąbrowski J. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Modelling of isothermal and nonisothermal d.c. characteristics of silicon carbide MPS diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono oraz eksperymentalnie zweryfikowano elektrotermiczny statyczny model diody MPS z węglika krzemu, dedykowany dla programu SPICE, opracowany i udostępniany przez firmę Infineon Technologies. W celu poprawy jego dokładności zaproponowano modyfikacje wybranych zależności analitycznych występujących w modelu. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem diody IDD04S60C.

EN

The paper concerns the problem of SPICE-aided modelling of the merged p-i-n Schotlky (MPS) diodes. In the paper the SPICE electrothermal model of the SiC-MPS diode proposed by Infineon Technologies is investigated. The model was verified experimentally. Some modifications of the model resulting in the improvement of its accuracy are proposed. The investigations were performed wit h the use of the diode IDD04S60C.

Słowa kluczowe

PL

diody MPS; modelowanie; samonagrzewanie; węglik krzemu

EN

MPS diodes; modelling; selfheating; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 2
• Strony: 139--143
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Dąbrowski J.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Zverev I., Treu M., Kapeis H., Hellmund O., Rupp R.: SiC Schottky rectifiers: performance, reliability and key applications. EPE 2001 Conf. Proc., 2001, p. DS2.1-6.
• [2] http://www.cree.com/products/index.asp - oferta materiałów i przyrządów półprzewodnikowych firmy Cree.
• [3] http://siced.com/hp1016/Switches.htm - opis oferowanych przez firmę SiCED tranzystorów SiC VJFET.
• [4] http ://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2006/174579.html - archiwalna zapowiedź firmy Infineon Technologies dotycząca wprowadzenia na rynek diod SiC-MPS (diody tzw. drugiej generacji 2G).
• [5] Bjoerk F., Hancock J., Treu M., Rupp M., Reimann T.: 2nd Generation 600V SiC Schottky diodes use merged pn/Schottky structure for surge overload protection. APEC'2006, pp. 170-173.
• [6] Tu S. L., Baliga B. J.: Controlling the Characteristics of the MPS Rectifier by Variation of Area of Schottky Region. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 40, no 7, July 1993, pp. 1307-1315.
• [7] Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.: Modeling SiC MPS diodes, 19th International Conference on Microelectronics. ICM'2008, Sharjah, UAE, 14-17 December, pp. 167-170.
• [8] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [9] http://www.infineon.com/cms/en/product/channel.html?channel=ff80808112ab681 d0112ab6a50b304a0 - strona internetowa z udostępnionym modelem diod SiC-MPS o nazwie ThinQ_2GenPSPICE (ThinQ_2GenPSPICE.zip).
• [10] Caughey D. M., Thomas R. E.: Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping and Field. Proceedings of the IEEE, December 1967, pp. 2192-2193.
• [11] Roschke M., Schwierz F.: Electron Mobility Models for 4H, 6H and 3C-SiC. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48, no 7, 2001, pp. 1442-1447.
• [12] Zarębski J., Górecki K.: System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych metodami impulsowymi, Międzyuczelniana Konferencja Metrologów, 1993, ss. 357-364.
• [13] Zarębski J., Górecki K.: Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego. Pomiary, Automatyka, Kontrola, nr 9, 1993, ss. 209-212.
• [14] Górecki K., Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrology and Measurement Systems, vol. 8, nr 4, 2001,ss. 379-396.