Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS

• Autorzy: Ruta Ł. , Lisik Z. , Kalinowski A. , Podgórski J.

Warianty tytułu

EN

SVMOS - a new solution for power transistor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Nowe rozwiązanie unipolarnego przyrządu mocy zostało nazwane SVMOS. Powstało ono na podstawie modyfikacji struktury VDMOS co zostało przedstawione. Źródłem takiej modyfikacji jest koncepcja struktury SMIS, która również była rozważana. Poprawność zaproponowanej modyfikacji została zweryfikowana na drodze symulacji numerycznych zarówno modyfikowanej struktury VDMOS jak i zaprojektowanej SVMOS.

EN

The new solution of unipolar power device called SVMOS, which has arisen as modification of VDMOS structure, is presented. The origin of the modification is connected with the concept of SMIS structure that is considered as well. The correctness of the proposed modification has been checked in the way of numerical simulations both for the modified VDMOS and the resulted new SVMOS structure.

Słowa kluczowe

PL

MOSFET; przyrząd unipolarny mocy; bariera Schottky'ego; modelowanie

EN

MOSFET; unipolar power device; Shottky barrier; modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 2
• Strony: 130--132
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Ruta Ł.

autor

Lisik Z.

autor

Kalinowski A.

autor

Podgórski J.

• Politechnika Łódzka, Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych

Bibliografia

• [1] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: Patent P-341163.
• [2] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - nowa struktura unipolarna. ELTE, 2000.
• [3] Szmidt J.: Measurements of SMIS test structures. Report, 1998.
• [4] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - a prospective solution for new power MOSFET transistor. EPE2007, Aalborg.
• [5] Lisik Z., Podgórski J., Ruta Ł., Szmidt J.: SVMOS - a new solution for power MOSFET transistor. ISPSD Praga, 2008.