Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
SVMOS - a new solution for power transistor
Języki publikacji
Abstrakty
Nowe rozwiązanie unipolarnego przyrządu mocy zostało nazwane SVMOS. Powstało ono na podstawie modyfikacji struktury VDMOS co zostało przedstawione. Źródłem takiej modyfikacji jest koncepcja struktury SMIS, która również była rozważana. Poprawność zaproponowanej modyfikacji została zweryfikowana na drodze symulacji numerycznych zarówno modyfikowanej struktury VDMOS jak i zaprojektowanej SVMOS.
The new solution of unipolar power device called SVMOS, which has arisen as modification of VDMOS structure, is presented. The origin of the modification is connected with the concept of SMIS structure that is considered as well. The correctness of the proposed modification has been checked in the way of numerical simulations both for the modified VDMOS and the resulted new SVMOS structure.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
130--132
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Politechnika Łódzka, Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych
Bibliografia
- [1] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: Patent P-341163.
- [2] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - nowa struktura unipolarna. ELTE, 2000.
- [3] Szmidt J.: Measurements of SMIS test structures. Report, 1998.
- [4] Lisik Z., Podgórski J., Szmidt J.: SMIS - a prospective solution for new power MOSFET transistor. EPE2007, Aalborg.
- [5] Lisik Z., Podgórski J., Ruta Ł., Szmidt J.: SVMOS - a new solution for power MOSFET transistor. ISPSD Praga, 2008.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0006-0024