Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej

• Autorzy: Modzelewski J.

Warianty tytułu

EN

Properties of π1 circuits for tuned power amplifiers as a function of the loaded quality factor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przeanalizowano wpływ dobroci wypadkowej na charakterystyki częstotliwościowe impedancji wejściowej i transimpedancji obwodów rezonansowego typu π1 o różnych wartościach przekładni rezystancyjnej. Wyznaczono przebieg charakterystyk częstotliwościowych unormowanej impedancji wejściowej i transimpedancji tego obwodu w otoczeniu częstotliwości rezonansowej dla kilku typowych wartości dobroci wypadkowej i przekładni. Dla obwodów π1 o różnych wartościach przekładni obliczono także zależność współczynników tłumienia drugiej i trzeciej harmonicznej prądu wejściowego od dobroci wypadkowej. Przedstawione charakterystyki pozwalają uprościć projektowanie obwodów Vπ1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy AB, klasy B i klasy C.

EN

In the paper an influence of the loaded quality factor on frequency response of input impedance and transimpedance of the π1 resonant circuits with different values of resistance-transformation ratio is analyzed. Normalized input impedance and transimpedance frequency responses in the neighbourhood of the resonant frequency for a few typical values of the loaded quality factor and resistance-transformation ratio are calculated. Attenuation coefficients of the second and third harmonic of the input current versus the loaded quality factor are also determined for the π1 circuits with different values of the resistance transformation ratio. Presented characteristics allow to simplify the design of the π1 circuits for class AB, class B and class C tuned power amplifiers.

Słowa kluczowe

PL

obwód rezonansowy; transformacja impedancji; tłumienie harmonicznych; charakterystyki częstotliwościowe; klasa AB; klasa C

EN

resonant circuits; impedance transformation; harmonic suppression; frequency responses; class AB; class C

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 2
• Strony: 17--23
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki

Bibliografia

• [1] Ryżko S., Ebert J.: Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości. WNT, Warszawa 1971.
• [2] Modzelewski J.: Rezonansowy wzmacniacz mocy klasy C w stanie przewzbudzonym. Elektronika, nr 11/2008, 36-40.
• [3] Modzelewski J.: Uproszczona metoda projektowania obwodów π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy. VII Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wsch. 07-10 czerwca 2009.
• [4] Kulma K.: Analiza wpływu skończonej dobroci cewki na charakterystyki obwodów rezonansowych typu π1 do wzmacniaczy mocy w. cz. Praca inż., Wydz. Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki, Warszawa, 2008.
• [5] ETS 300 384, European Telecommunication Standard Institute, January 1985.
• [6] Ebert J., Fiok A.: Obliczanie wzmacniaczy i generatorów mocy wielkiej częstotliwości. WNT Warszawa, 1971.