Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al⁺

• Autorzy: Turek M. , Pyszniak K. , Prucnal S. , Droździel A. , Żuk J.

Warianty tytułu

EN

lon source for Al⁺ implantation

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowano nową konstrukcję źródła jonów pierwiastków metalicznych. Podstawowym rozwiązaniem konstrukcyjnym jest umieszczenie molibdenowego parownika wewnątrz komory plazmowej źródła. Parownik jest nagrzewany przez spiralną katodę oraz przez wyładowanie łukowe. Wytworzone pary trafiają wprost do plazmy wyładowania łukowego, gdzie ulegają jonizacji w wyniku zderzeń z elektronami. Źródło umożliwia uzyskiwanie znacznych natężeń prądu Al⁺, rzędu 70 µA, ponadto pracuje stabilnie przez kilkanaście godzin. Artykuł zawiera opis konstrukcji źródła oraz numerycznego modelu jego pracy, jak również omówienie wyznaczonych charakterystyk źródła jonów.

EN

A new construction of the metalic ion source is presented. The clue of the design is an evaporator made of molybdenum and placed inside a discharge chamber. The evaporator is heated by a spiral cathode as well as by an arc discharge. Vapors are ionized in the arc discharge by electron impact. The source provides typically the current 70 µA of Al⁺ ions. The source operates stable over a dozen hours. The paper presents the construction of the source, the numerical model as well as the discussion of its characteristics measured in experiments.

Słowa kluczowe

PL

źródła jonów; implantacja jonowa; symulacje numeryczne; jony glinu

EN

ion sources; ion implantation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 9
• Strony: 102--105
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Turek M.

autor

Pyszniak K.

autor

Prucnal S.

autor

Droździel A.

autor

Żuk J.

• Uniwersytet Marii Curie Skłodowskiej, Instytut Fizyki, Lublin

Bibliografia

• [1] Handy E., Rao M., Holland O., Chi P., Jones K., Derenge M., Vispute R., Vankatesan T.: J. Electronic Materials, 29, 1340, (2000).
• [2] Gubanov V. A. and Fong C. Y: Appl. Phys. Lett. 75, 88, (1999).
• [3] Alton G. D., Mills G. D., Dellwo J.: Rev. Sci. Instrum. 66, 2006, (1994).
• [4] Rasser B., Pearson D. I. C., Remy M.: Rev. Sci. Instrum. 51,474, (1980).
• [5] Yamada H., Torii Y.: Rev. Sci. Instrum. 57, 1282, (1986).
• [6] Brown I. G., Galvin J. E., MacGill R. A.: Appl. Phys. Lett., 47, 358, (1985).
• [7] Hockney R. W., Eastwood J. W.: Computer Simulation Using Particles, Hilger, Philadelphia (1988).
• [8] Kim Y. K., Stone P. M.: Phys. Rev. A 64, 052707, (2001).
• [9] Freund R. S., Wetzel R. C., Shul R. J., Hayes T. R.: Phys Rev. A 41, 3575, (1990).
• [10] Margreiter D., Deutsch H., Maerk T. D.: Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes 139, 127, (1994).
• [11] Zhang H.: Ion Sources, Science Press, Beijing-Springer, Berlin-Heidelberg (1999).