Wpływ wygrzewania na konduktywność nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu

• Autorzy: Kołtunowicz T. N.

Warianty tytułu

EN

The effect of annealing on conductivity of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy opisano wpływ wygrzewania na konduktywność nanokompozytów (CoFeZr)x + (AI₂O₃)1-x wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu. Wykorzystano nanomateriały o strukturze metal-dielektryk o zawartości frakcji metalicznej x₁ = 31,2%, x₂ = 42,2% oraz x₃ = 64,1 % (odpowiednio przed na i powyżej progu perkolacji). Ustalono, że wygrzewanie powoduje przesunięcie progu perkolacji (przejścia od przewodności typu półprzewodnikowego do przewodnictwa metalicznego) w obszar wyższych zawartości fazy metalicznej.

EN

The effect of annealing on conductivity of (CoFeZr)x (Al₂O₃)1+x nanocomposites produced by magnetron sputtering In the at mo sphere of argon has been carried out. Nanomaterials of metal-insulator structure with content of metallic phase x₁ = 1.2% (beneath the percolation threshold), x₂ = 42.2% (on the percolation threshold) and x₃ = 64.1 % (above the percolation threshold) were used. Establish that annealing caused shift of percolation threshold (transition from semiconductor type conductivity to metallic conductivity) into area of higher content of metallic phase.

Słowa kluczowe

PL

nanokompozyty; próg perkolacji; rozpylanie magnetronowe

EN

nanocomposites; percolation threshold; magnetron sputtering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 9
• Strony: 95--97
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys.

Twórcy

autor

Kołtunowicz T. N.

• Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] Wastlbauer G., Bland J. A. C.: Structural and magnetic properties of ultrathin epitaxial Fe films on GaAs(001) and related semi-conductor substrates. Advances in Physics, vol. 54, no 2, 2005, pp. 137-219.
• [2] Tang Y. H., Chen X. M., Li Y. J., Zheng X. H.: Dielectric and magnetoelectric characterization of CoFe2O4/Ba0.55Sr0.25Ca0.2Nb2O6 compositesp Materials Science and Engineering B., vol. 116, 2005, pp. 150-155.
• [3] Tannous C., Gierlatowski J.: Giant magneto-impedance and its applications. Journal of materials science: Materials in Electronics, vol. 15, 2004, pp. 125-133.
• [4] Wan Q., Wang T. H., Lin C. L.: Third-order optical nonlinearity and negative photoconductivity of Ge nanocrystals in Al2O3 dielectric. Nanotechnology, vol. 14, 2003, pp. 15-17.
• [5] Parravicini G. B., Stella A., Ungureanu M. C., Kofman R.: Lowfrequency capacitance effect in systems of metallic nanoparticles embedded in dielectric matrix. Applied Physics Letters, vol. 85, no 2, 2004, pp. 302-305.
• [6] Sen Sh., Choudhary R. N. P.: Impedance studies of Sr modified BaZr0.05Ti0.95O3 ceramics. Materials Chemistry and Physics, vol. 87, 2004, pp. 256-263.
• [7] Skomski R.: Nanomagnetics. Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 15, 2003, pp. 841-896.
• [8] Bader S. D.: Magnetism in low dimensionality. Surface Science, vol. 500, 2002, pp. 172-188.
• [9] Huang J. C. A., Hsu C. Y.: Complex capacitance spectroscopy as a probe for oxidation process of AlOx - based magnetic tunnel junctions. Applied Physics Letters, vol. 85, no 24, 2004, pp. 5947-5949.
• [10] Żukowski P., KoItunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Fedotova J. A., Fedotov A. K., Larkin A. V.: Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x + (AI2O3)1-x Przegląd Elektrotechniczny, 2008, nr 3/2008, ss. 244-246.
• [11] Kołtunowicz T.: Pomiary właściwości elektrycznych na nokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x Pomiary Automatyka Kontrola, 11/2007, ss. 44-46.
• [12] Saad A. M., Fedotov A. K., Svito I. A., Mazanik A. V., Andrievsky B. V., Patryn A. A., Kalinin Yu. E., Sitnikov A. V.: AC conductance of (Co0.45Fe0.45Zr0.10)x(Al2O3)1-x nanocomposites. Progress in Solid State Chemistry, vol. 34, 2006, pp. 139-146.
• [13] Kołtunowicz T.: Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników. Elektronika - Konstrukcje Technologie Zastosowania, nr 10/2007, ss. 37-40.