Badanie cienkich warstw nanoszonych metodą magnetronowego rozpylania krzemu w atmosferze Ar + O₂

• Autorzy: Posadowski W. M. , Chmiel Ł. , Wiatrowski A. , Krówka K.

Warianty tytułu

EN

The pulsed magnetron sputtering of silicon target at Ar + O₂ atmosphere

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano proces reaktywnego, impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw krzemu w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Rozpylano target Si o średnicy 50 mm przy różnych mocach i ciśnieniach parcjalnych tlenu. Mierzono szybkość osadzania warstw SiOx oraz tzw. moc krążącą - charakterystyczny parametr zasilacza impulsowego DORA. Na tej podstawie określano mody pracy reaktywnego rozpylania magnetronowego. Istotnym wynikiem badań było pokazanie możliwości wysokowydajnego osadzania cienkich warstw dielektrycznych w metalicznym trybie pracy magnetronu.

EN

The pulsed reactive magnetron sputtering process in Ar + O₂ atmosphere was investigated. The silicon target of 50 mm in diameter was sputtered at different target powers and oxygen partial pressures. The deposition rate of SiOx films and 50 called circulating power were measured. On this basls the modes of magnetron reactive sputtering were described. The point of investigation was the SiOx films high efficiency deposition possibility at metallic mode of sputtering.

Słowa kluczowe

PL

magnetron; reaktywne rozpylanie magnetronowe; SiOx

EN

magnetron; reactive magnetron sputtering; SiOx

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 9
• Strony: 16--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Posadowski W. M.

autor

Chmiel Ł.

autor

Wiatrowski A.

autor

Krówka K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Berg S., Nyberg T.: Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes. Thin Solid Films, 476, (2005), pp. 215- 230.
• [2] Posadowski W. M., Wiatrowski A., Dora J., Radzimski Z. J., Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter. Thin Solid Films, 516, (2008), pp. 4478-4482.
• [3] Dora J.: Zasilacz rezonansowy. Urząd Patentowy RP, Patent nr 178285, zgł. 1996.06.03.