PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Models and macromodels of power MOS transistors for SPICE
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MOS mocy. Przedstawiono i omówiono wybrane modele i makromodele rozważanego elementu, sformułowane dla programu SPICE. Na przykładzie arbitralnie wybranego tranzystora MOS mocy dokonano oceny dokładności rozważanych w pracy modeli i makromodeli.
EN
The paper deals with a problem of modelling of power MOS transistors. Construction of models and macromodels of considered transistors formulated for SPICE have been presented and discussed. Estimation of accuracy of the models and macromodels of arbitrarily chosen power MOS transistors has been performed.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
96--100
Opis fizyczny
Bibliogr. 30 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej
Bibliografia
  • [1] Zarębski J., Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
  • [2] http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-7 532.pdf
  • [3] http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP038AN06A0.pdf
  • [4] Bisewski D., Modelowanie tranzystora MOS mocy. Praca dyplomowa, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni, Gdynia, 2004.
  • [5] Zarębski J., Bisewski D., Właściwości modelu Shichmana-Hodgesa tranzystora MOS w programie SPICE. Raport Katedry Radioelektroniki Morskiej Nr NB.12/2003.
  • [6] Wasilewski P., Modelowanie pojemności tranzystora VDMOS w programie SPICE. Praca dyplomowa, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni, Gdynia, 2006.
  • [7] Antognetti P., Massobrio G.: Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill, New York, 1993.
  • [8] Izydorczyk J., Komputerowa symulacja układów elektronicznych. Helion, Gliwice, 1993.
  • [9] Porębski J., Korohoda P.: SPICE program analizy nieliniowej układów elektronicznych. Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1996.
  • [10] Vladimirescu A.: The Spice Book. John Wiley and Sons, New York,1994.
  • [11] Wilamowski M. B., Jaeger R. C.: Computerized Circuit Analysis Using SPICE Programs. McGraw-Hill, New York, 1997.
  • [12] Zimny P., Karwowski K.: SPICE klucz do elektroniki. Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, Gdańsk, 1998.
  • [13] Stanclik J.: Modyfikacja makromodeli wzmacniaczy operacyjnych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, vol. 44, z. 1, 1998, ss. 19-34.
  • [14] Dang L. M.: A Simple Current Model for Short Channel IGFET and Its Application to Circuit Simulation. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 14, 1979.
  • [15] Sakurai T., Newton A. R.: A Simple MOSFET Model for Circuit Analysis, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 38, no 4, 1991, pp. 887-888.
  • [16] Enz C. C., Krummenacher F., Vittoz E. A.: An Analytical MOS Transistor Model Valid in Ali Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications. Journal on Analog Integrated Circuits and Signal Processing Low-Voltage and Low-Power Design, vol. 8,1995, pp. 83-114.
  • [17] Gowda S. M., Sheu B. J., BSIM plus: an advanced SPICE model for submicron MOS VLSI circuits. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 13, no 9, 1994, pp. 1166-1170.
  • [18] http://www.catena.uk.com/site/support/modelinfo/onsemimodels.htm
  • [19] http://www.datasheetarchive.com/search.php?q=SPP11N60C2
  • [20] http://www.infineon.com. PSPICE Libraries for CoolMOS Power Transistors
  • [21] http://www.irf.com
  • [22] http://onsemi.com
  • [23] http://www.vishav.com
  • [24] http://www.fairchildsemi.com
  • [25] Biblioteka PWRMOS.LIB, PSPICE 10.0, MicroSim Corporation, 2003.
  • [26] PSPICE A/D Reference Guide Version 10.0, MicroSim Corporation, June 2003.
  • [27] http://www.irf.com/product-info/models/soice/soice.zip
  • [28] Zarębski J., Jasicki P., Vinh T. C.: Modelowanie wpływu temperatury na charakterystyki statyczne tranzystora MOSFET w programie SPICE. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia, 1998, s. 63.
  • [29] Zarębski J., Górecki K.: Modelling Trench MOSFETs in SPICE. 15th IEEE International Conference on electronics, Circuits and Systems ICECS, Malta, 2008, pp. 73-76.
  • [30] Bisewski D.: Estymacja parametrów wybranych elementów półprzewodnikowych z wykorzystaniem algorytmu genetycznego. Raport badawczy, Seminaria Katedry Elektroniki Morskiej, Akademia Morska, Gdynia, 2009.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0005-0016
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.