Estymacja parametrów modelu Danga tranzystora MOS

Zarębski, J.; Bisewski, D.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Estymacja parametrów modelu Danga tranzystora MOS

Autorzy

Zarębski J. , Bisewski D.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Parameters estimation of the Dang model of MOS transistor

Języki publikacji

Abstrakty

Praca dotyczy problematyki estymacji parametrów modelu Danga tranzystora MOS z wykorzystaniem programu MODEL EDITOR, występującego w pakiecie oprogramowania PSPICE. Na przykładzie arbitralnie wybranego typu tranzystora MOS zbadano wpływ doboru liczby oraz rozmieszczenia punktów pomiarowych na charakterystykach tranzystora, na uzyskane wartości parametrów rozważanego modelu. Przeprowadzono również estymację parametrów rozważanego w pracy tranzystora w oparciu o jego dane katalogowe.

The paper deals with a problem of estimation of the Dang model parameters of MOSFET, using a specialized program MODEL EDITOR, included in the PSPICE software package. Influence of the number and the distribution of the MODEL EDITOR input data of the arbitrarily chosen MOSFET on the results of estimation, has been examined. Estimation of the model parameters based on the transistor catalogue measuring data has been also performed.

Słowa kluczowe

estymacja MODEL EDITOR MOS PSpice

estimation MODEL EDITOR MOS PSpice

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2009

Tom

Vol. 50, nr 6

Strony

87--90

Opis fizyczny

Bibliogr. 18 poz., wykr., tab.

Twórcy

autor

Zarębski J.

autor

Bisewski D.

Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

[1] PSPICE A/D Reference Guide Version 10.0, MicroSim Corporation, June 2003.
[2] Izydorczyk J.: Komputerowa symulacja układów elektronicznych, Helion, Gliwice, 1993.
[3] Wilamowski M. B., Jaeger R. C.: Computerized Circuit Analysis Using SPICE Programs, March 1997.
[4] Porębski J., Korohoda P.: SPICE program analizy nieliniowej układów elektronicznych, Warszawa, 1996.
[5] Zimny P., Karwowski K.: SPICE klucz do elektroniki, Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, Gdańsk, 1998.
[6] Antognetti P., Massabrio G.: Semiconductor Device Modeling with SPICE, Mc Graw Hill International, 1993.
[7] Vladimirescu A.: The Spice Book, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1994.
[8] Strona internetowa http://www.irf.com
[9] Strona internetowa http://onsemi.com
[10] Strona internetowa http://www.vishay.com
[11] Strona internetowa http://www.fairchildsemi.com
[12] Biblioteka PWRMOS. LIB, PSPICE 10.0, MicroSim Corporation, 2003.
[13] Król A., Moczko J.: Sposób wyznaczania parametrów modelu diody za pomocą programu PARTS z pakietu Pspice-OesignLAB, Elektronika, nr 9, 1999, s. 17.
[14] Górecki K., Stepowicz W. J., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu tranzystora JFET za pomocą programu PARTS, XXVIII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2005, vol. 2, Ustroń, 2005, s. 301.
[15] Górecki K., Stepowicz W. J., Zarębski J.: Zastosowanie programu PARTS do estymacji parametrów komparatora, XXVII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2004, vol. 2, Niedzica, 2004, s. 269.
[16] Górecki K., Stepowicz W. J., Zarębski J.: Using Program PARTS in Teaching of Modelling of Semiconductor Devices, 9th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXOES 2002, Wrocław, 2002, pp. 695-698.
[17] Zarębski J., Górecki K.: SPICE Aided Estimation of the Power BJT Model Parameters. IEEE International Power Electronics Congress CIEP'2000, Acapulco, 2000, p. 258.
[18] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0005-0015